[發明專利]半導體裝置、逆變器裝置及汽車

有效

• 申請號: 201580084694.4
• 申請日: 2015-11-25
• 公開（公告）號: CN108292640B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 川瀨達也;石原三紀夫;宮本昇;中田洋輔;井本裕兒
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/473
• 分類號: H01L23/473;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

目的在于提供能夠提高半導體裝置的冷卻性能的技術。半導體裝置具備：鰭片部(16)，其包含與導熱性基座板(11)的下表面連接的多個凸起部；冷卻部件(17)，其與供朝向鰭片部(16)的冷媒流入的流入口(17a)、以及使來自鰭片部(16)的冷媒流出的流出口(17b)連接，且冷卻部件(17)將鰭片部(16)覆蓋；以及頭部(18)，其是設置于流入口(17a)與鰭片部(16)之間，被以能夠使冷媒從流入口(17a)流通至鰭片部(16)的方式與鰭片部(16)隔開的儲水室。

技術領域

本發明涉及半導體裝置、以及具備該半導體裝置的逆變器裝置及汽車。

背景技術

就半導體裝置而言，始終要求小型化以及輕量化。為了實現小型化，高效地對半導體元件進行冷卻的構造是不可或缺的。特別是，不斷進行將半導體元件直接接合于冷卻鰭片之上，直接實施冷卻的直冷構造的開發。其中，盛行的是鰭片一體型半導體裝置(例如專利文獻1)、鰭片以及冷卻器一體型半導體裝置(例如專利文獻2～5)的開發。

專利文獻1：日本特開平11-204700號公報

專利文獻2：日本專利第4600199號公報

專利文獻3：日本特開2014-082311號公報

專利文獻4：日本特開平11-297906號公報

專利文獻5：日本特開2007-141872號公報

發明內容

作為現有的鰭片以及冷卻器一體型半導體裝置，大多提出了使冷卻水直接與鰭片碰撞的構造。然而，就上述構造而言，存在冷卻水向鰭片的碰撞以及通過變得不均勻，無法對半導體元件均勻地進行冷卻這樣的問題。

因此，本發明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供能夠提高半導體裝置的冷卻性能的技術。

本發明涉及的半導體裝置具備：半導體元件；導熱性基座板，其設置于所述半導體元件的下方；鰭片部，其包含與所述導熱性基座板的下表面連接的多個凸起部；冷卻部件，其與供朝向所述鰭片部的冷媒流入的流入口、以及使來自所述鰭片部的冷媒流出的流出口連接，且所述冷卻部件將所述鰭片部覆蓋；以及頭部，其是設置于所述流入口與所述鰭片部之間，被以能夠使冷媒從所述流入口流通至所述鰭片部的方式與所述鰭片部隔開的儲水室。

發明的效果

根據本發明，具備頭部，該頭部是設置于流入口與鰭片部之間，被以能夠使冷媒從流入口流通至鰭片部的方式與鰭片部隔開的儲水室。由此，從頭部流出至鰭片部的冷媒以被均流化的狀態與鰭片部進行碰撞，因此能夠提高冷卻性能。

本發明的目的、特征、方案以及優點通過以下的詳細說明和附圖變得更清楚。

附圖說明

圖1是表示實施方式1涉及的半導體裝置的結構的剖視圖。

圖2是表示實施方式1涉及的半導體裝置的一部分的結構的俯視圖。

圖3是表示實施方式2涉及的半導體裝置的結構的剖視圖。

圖4是表示實施方式2涉及的半導體裝置的一部分的結構的俯視圖。

圖5是表示實施方式3涉及的半導體裝置的結構的剖視圖。

圖6是表示實施方式3涉及的半導體裝置的一部分的結構的俯視圖。

圖7是表示實施方式4涉及的半導體裝置的結構的剖視圖。

圖8是表示實施方式4涉及的半導體裝置的一部分的結構的俯視圖。

圖9是表示實施方式5涉及的半導體裝置的結構的剖視圖。

圖10是表示實施方式5涉及的半導體裝置的一部分的結構的仰視圖。