[發(fā)明專利]組合低頻和高頻連續(xù)時間線性均衡器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580084094.8
• 申請日: 2015-12-01
• 公開（公告）號: CN108353044B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發(fā)明（設計）人: 谷亮;曹玉明;黨殷;雷工;李洪義;顧一凡;瑪曼莎·德什潘德;施守波;段彥
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H04L25/03
• 分類號: H04L25/03
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種電路裝置，其特征在于，包括：

輸入端口，用于接收通過傳輸鏈路傳播的輸入信號，其中，所述傳輸鏈路包括低頻信道損耗和高頻信道損耗；

連續(xù)時間線性均衡CTLE電路，耦合到所述輸入端口并用于根據所述輸入信號通過以下操作產生輸出信號：

在第一頻率上將第一增益施加到所述輸入信號，以補償所述低頻信道損耗；

在第二頻率上將第二增益施加到所述輸入信號，以補償所述高頻信道損耗；以及

輸出端口，耦合到所述CTLE電路并用于輸出所述輸出信號；

其中，所述輸出端口和所述輸入端口之間的所述CTLE電路的頻率響應包括第一零點和第二零點，所述第一頻率取決于所述第一零點，所述第二頻率取決于所述第二零點；

其中，所述CTLE電路包括：

耦合到所述輸入端口和所述輸出端口的差分放大器電路，其中，所述差分放大器電路包括與第二電路分支并聯的第一電路分支；以及

耦合到所述差分放大器電路的偏置電路，其中，所述偏置電路包括耦合到所述第一電路分支的第一晶體管并用于向所述第一電路分支提供第一直流DC偏置，其中

所述第一零點取決于所述第一晶體管的第一寄生電容；

其中，所述偏置電路還包括：

第二晶體管，耦合到所述第二電路分支并用于向所述第二電路分支提供第二DC偏置；以及

位于所述第一晶體管和所述第二晶體管之間的第一電阻器，其中，所述第一零點還取決于所述第一電阻器的第一電阻。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述偏置電路還包括：

位于所述第一電阻器和所述第二晶體管之間的第二電阻器；

耦合到電源的參考電流源；以及

耦合到所述參考電流源、接地、所述第一電阻器和所述第二電阻器的第三晶體管。

3.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第二電阻器包括與所述第一電阻相同的第二電阻，所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管是N-溝道金屬氧化物半導體器件NMOS晶體管。

4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述偏置電路還包括：

耦合到電源的第一參考電流源；以及

耦合到所述第一參考電流源、接地、所述第一晶體管的第三晶體管，其中

所述第一零點還取決于所述第三晶體管的第一跨導。

5.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述偏置電路還包括：

耦合到所述電源的第二參考電流源；

第二晶體管，耦合到所述第二電路分支并用于向所述第二電路分支提供第二DC偏置；以及

耦合到所述第二參考電流源、所述接地和所述第二晶體管的第四晶體管，其中，所述第四晶體管的第二跨導與所述第三晶體管的跨導相同。

6.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述CTLE電路還包括：

位于所述第一電路分支和所述第二電路分支之間的頻率整形電路，其中，所述頻率整形電路包括與電容器并聯的電阻器，其中

所述第二頻率取決于所述電阻器的電阻和所述電容器的電容。

7.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述CTLE電路還用于在所述輸入信號的奈奎斯特頻率上將第三增益施加到所述輸入信號，其中，所述第一電路分支包括：

晶體管；

耦合到所述晶體管的電阻器；以及

電感器，位于所述電阻器和電源之間并包括與所述輸入信號的所述奈奎斯特頻率關聯的電感。

8.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置是以100千兆比特/秒Gbps工作的光接收機。