[發明專利]用于磁阻式隨機存儲器器件的電接觸部

有效

• 申請號: 201580084066.6
• 申請日: 2015-11-23
• 公開（公告）號: CN108140724B
• 公開（公告）日: 2023-08-04
• 發明（設計）人: C·J·維甘德;O·戈隆茨卡;K·奧烏茲;K·P·奧布萊恩;T·拉赫曼;B·S·多伊爾;T·加尼;M·L·多齊
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H10N50/80
• 分類號: H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種用于磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)器件的電接觸部，包括：

MRAM頂部接觸部，其由第一材料形成，其中，所述第一材料是鉭；

金屬接觸部；以及

鈍化區，其是在清潔之前通過使所述MRAM頂部接觸部的被暴露的表面鈍化而由所述第一材料的氮化物形成的并嵌入在所述MRAM頂部接觸部中，其中，所述鈍化區設置在所述MRAM頂部接觸部和所述金屬接觸部之間，并且其中，所述鈍化區包括氮氧化物。

2.根據權利要求1所述的電接觸部，其中，所述MRAM頂部接觸部是硬掩模的部分。

3.根據權利要求1所述的電接觸部，其中，所述金屬接觸部包括銅。

4.一種用于磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)的電接觸部，包括：

鉭區；

阻擋區，其由第一材料形成；以及

鈍化區，其由第二材料形成并設置在所述鉭區和所述阻擋區之間，并且所述鈍化區是在清潔之前通過使所述鉭區的被暴露的表面鈍化而形成的；

其中，所述第二材料包括氮化鉭并且所述第二材料不同于所述第一材料，并且其中，所述第二材料還包括氮氧化物。

5.根據權利要求4所述的電接觸部，其中，所述第一材料包括鈦。

6.根據權利要求5所述的電接觸部，其中，所述第一材料包括氮化鈦。

7.根據權利要求4所述的電接觸部，其中，所述鉭區設置在所述鈍化區和所述MRAM器件之間。

8.根據權利要求4-7中的任一項所述的電接觸部，其中，所述MRAM器件包括磁阻式隧道結(MTJ)，所述MTJ包括一對電極，所述一對電極在其間具有隧道阻擋材料，并且所述鉭區設置在所述一對電極中的一個電極上。

9.根據權利要求4-7中的任一項所述的電接觸部，其中，所述鉭區是鉭硬掩模的部分。

10.根據權利要求4-7中的任一項所述的電接觸部，其中，所述阻擋區設置在錐形過孔中，所述錐形過孔具有窄端和寬端，并且所述鈍化區設置在所述錐形過孔的所述窄端處。

11.一種形成用于磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)器件的電接觸部的方法，包括：

在電介質材料中形成開口以暴露包括鉭的硬掩模的區域，其中，所述硬掩模設置在所述開口和所述MRAM器件之間；

在清潔之前用氮將被暴露的區域鈍化以形成包括鉭的氮化物的鈍化區；

將所述鈍化區暴露于空氣；以及

在所述開口中提供金屬。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括：

在將所述鈍化區暴露于空氣之后并且在提供所述金屬之前，對所述開口的側壁和所述鈍化區進行等離子體清潔。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，將所述被暴露的區域鈍化包括執行干法氮氣暴露。

14.一種存儲器結構，包括：

磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)器件；以及

用于與所述MRAM器件電通信的電接觸部，其中，所述電接觸部包括：

鉭區；

阻擋區，其由第一材料形成，其中，所述第一材料包括鈦；

鈍化區，其由第二材料形成并設置在所述鉭區和所述阻擋區之間，并且所述鈍化區是在清潔之前通過使所述鉭區的被暴露的表面鈍化而形成的，其中，所述第二材料包括氮化鉭并且所述第二材料不同于所述第一材料，并且其中，所述第二材料還包括氮氧化物；以及

銅區，其中，所述阻擋區設置在所述銅區和所述鈍化區之間。

15.根據權利要求14所述的存儲器結構，還包括：

設置在所述MRAM器件和晶體管之間的金屬層。