[發(fā)明專利]低阻抗VCSEL

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580083277.8
• 申請日: 2015-08-10
• 公開（公告）號: CN108028512B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沙吉·馬塔伊;邁克爾·瑞恩·泰·譚;韋恩·維克托·瑟林
• 申請（專利權(quán)）人: 慧與發(fā)展有限責(zé)任合伙企業(yè)
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京市漢坤律師事務(wù)所 11602
• 代理人: 張濤;吳麗麗

1.一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括：

p型分布式布拉格反射器層，其中所述p型分布式布拉格反射器層包括氧化物孔；

與所述p型分布式布拉格反射器層相鄰的p型歐姆接觸層，其中所述p型歐姆接觸層具有與所述氧化物孔對齊的開口；

填充所述開口的介電材料；和

封裝所述介電材料的金屬層，其中所述金屬層耦連到所述p型歐姆接觸層。

2.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中所述p型分布式布拉格反射器層包括堆疊的少于30層的高濃度的鋁在鋁鎵砷化物中的層和低濃度的鋁在鋁鎵砷化物中的層的交替層。

3.如權(quán)利要求2所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中所述高濃度的鋁包括92％或更多的鋁且所述低濃度的鋁包括12％或更少的鋁。

4.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中所述介電材料包括具有小于2的折射率的材料。

5.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中所述金屬層被圖案化以增強光的特定偏振的反射。

6.如權(quán)利要求5所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中所述金屬層被圖案化為線柵偏振器。

7.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中所述金屬層包括金屬，所述金屬結(jié)合至所述p型歐姆接觸層的頂部金屬層。

8.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，進一步包括：

在所述p型歐姆接觸層和所述金屬層之間的擴散屏障。

9.一種制造垂直腔面發(fā)射激光器的方法，包括：

在基底上產(chǎn)生p型分布式布拉格反射器層，所述p型分布式布拉格反射器層具有p型歐姆接觸層，其中所述p型分布式布拉格反射器層包括交替堆疊的高折射率層和低折射率層，其中所述p型歐姆接觸層具有開口；

將濕式氧化應(yīng)用至所述p型分布式布拉格反射器層，以氧化至少一個低折射率層，以形成氧化物孔，其中所述氧化物孔與所述開口對齊；

用介電材料填充所述p型歐姆接觸層中的開口；和

用耦連到所述p型歐姆接觸層的金屬層封裝所述介電材料。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述交替堆疊的所述p型分布式布拉格反射器層包括少于30層的層。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，進一步包括：

將聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烷涂布至所述p型分布式布拉格反射器層；

產(chǎn)生到所述p型歐姆接觸層和n型歐姆接觸層的通孔；和

在所述聚酰亞胺或所述苯并環(huán)丁烷上添加焊盤和互連金屬，并將所述焊盤和互連金屬耦連到所述p型歐姆接觸層和所述n型歐姆接觸層。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，進一步包括：

在所述基底上產(chǎn)生n型分布式布拉格反射器層；和

在所述基底上產(chǎn)生與所述n型分布式布拉格反射器層和所述p型分布式布拉格反射器層相鄰的激光腔層。

13.一種制造垂直腔面發(fā)射激光器的方法，包括：

在具有p型分布式布拉格反射器層、激光腔層和n型分布式布拉格反射器層的基底上涂布p型歐姆接觸層，其中所述p型歐姆接觸層具有開口；

進行蝕刻以產(chǎn)生包括所述p型分布式布拉格反射器層的臺面；

將濕式氧化應(yīng)用于所述臺面以形成與所述開口對齊的氧化物孔；

添加n型歐姆接觸層至通過蝕刻而暴露的n型分布式布拉格反射器層；

添加介電材料以填充所述p型歐姆接觸層中的所述開口；

用耦連到所述p型歐姆接觸層的金屬層封裝所述介電材料；

涂布聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烷以平坦化形貌，并產(chǎn)生到所述p型歐姆接觸層和所述n型歐姆接觸層的通孔；和

在所述聚酰亞胺或所述苯并環(huán)丁烷、所述p型歐姆接觸層和所述n型歐姆接觸層上添加焊盤和互連金屬。