[發明專利]卷材基板處理系統在審
| 申請號: | 201580083262.1 | 申請日: | 2015-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN108431296A | 公開(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發明(設計)人: | 曹生賢 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C23C16/54 | 分類號: | C23C16/54;C23C14/34;C23C14/56;C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖;金紅蓮 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 卷材基板 處理系統 轉鼓 纏繞 裝載 電弧 卸載輥 粒子 基板處理單元 外圓周表面 輥解 解繞 支撐 垂直 | ||
1.一種卷材基板處理系統,包括:
裝載輥(100),在該裝載輥上纏繞有待處理的卷材基板(W);
至少一個轉鼓(200),被配置成在支撐所述卷材基板(W)的同時旋轉以傳送從所述裝載輥(100)解繞的所述卷材基板(W);
卸載輥(300),在該卸載輥上纏繞有已經通過所述轉鼓(200)被處理的所述卷材基板(W);以及
基板處理單元(400),其沿著所述轉鼓(200)的圓周方向設置以對在支撐于所述轉鼓(200)的外圓周表面上的同時旋轉的所述卷材基板(W)進行處理。
2.如權利要求1所述的系統,其特征在于,所述裝載輥(100)、所述卸載輥(300)、以及所述轉鼓(200)中的每一個都具有相對于地面豎直或水平布置的旋轉軸。
3.如權利要求1所述的系統,其特征在于,所述系統包括:
多個轉鼓(200);以及
一對壓力輥(460),其被設置成以小于所述轉鼓(200)的直徑的距離間隔開并且被安裝在所述裝載輥(100)或所述卸載輥(300)與所述轉鼓(200)之間以及在所述轉鼓(200)之間,從而維持所述卷材基板(W)與所述轉鼓(200)的外圓周表面緊密接觸的狀態。
4.如權利要求1所述的系統,其特征在于,所述系統包括:
裝載鎖腔室(410),被配置成更換所述卷材基板(W);以及
工藝腔室(420),被配置成執行基板處理,
其中,所述裝載輥(100)和所述卸載輥(300)被安裝在所述裝載鎖腔室(410)內,并且所述轉鼓(200)和所述基板處理單元(400)被安裝在所述工藝腔室(420)內。
5.如權利要求1所述的系統,其特征在于,所述裝載鎖腔室(410)和所述工藝腔室(420)隔著布置在它們之間的分隔壁(450)彼此分開,使得能夠在維持所述工藝腔室(420)的氣密性的同時引入和排出所述卷材基板(W),并且所述分隔壁包括密封輥(440),所述密封輥被配置成在與所述卷材基板(W)緊密接觸的同時允許所述卷材基板(W)穿過所述裝載鎖腔室(410)或所述工藝腔室(420)。
6.如權利要求1至5之一所述的系統,其特征在于,所述基板處理單元(400)中的每一個都包括以下各項中的至少一項:用于濺射工藝的濺射模塊、用于原子層沉積工藝的原子層沉積模塊、用于蒸發沉積工藝的蒸發模塊、用于單層沉積工藝的單層沉積模塊、用于CVD工藝的CVD模塊、以及用于ICP工藝的ICP模塊。
7.如權利要求1至5之一所述的系統,其特征在于,所述基板處理單元(400)中的每一個都包括以下各項當中的至少兩個模塊:用于濺射工藝的濺射模塊、用于原子層沉積工藝的原子層沉積模塊、用于蒸發沉積工藝的蒸發模塊、用于單層沉積工藝的單層沉積模塊、用于CVD工藝的CVD模塊、以及用于ICP工藝的ICP模塊,并且所述至少兩個模塊沿著所述轉鼓(200)的圓周方向設置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





