[發(fā)明專利]基片背側(cè)紋理化

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580083223.1
• 申請日: 2015-08-22
• 公開（公告）號: CN108140556B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發(fā)明（設計）人: 卡洛斯·A·豐塞卡;本杰門·拉特扎克;杰弗里·史密斯;安東·J·德維利耶;利奧爾·胡利;兒玉輝彥;約書亞·S·霍格
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 唐京橋;杜誠

1.一種用于確定在光刻工具上處理的半導體基片的背側(cè)紋理化的方法，包括：

確定所述光刻工具上的針對所述半導體基片的一個或更多個接觸區(qū)；

至少部分地基于以下來確定所述半導體基片的背側(cè)表面紋理化：

所述半導體基片的一個或更多個部分處的所述半導體基片的背側(cè)特征的頻率，

所述半導體基片的一個或更多個部分處的所述背側(cè)特征的幅度，或者

所述一個或更多個接觸區(qū)的尺寸；以及

處理所述半導體基片以獲得減小所述基片與所述一個或更多個接觸區(qū)之間的摩擦系數(shù)的目標背側(cè)表面紋理化，

其中，所述處理包括用激光束燒蝕所述背側(cè)特征，

其中，所述激光束包括在300nm和1400nm之間的波長，并且

其中，所述激光束包括150J/cm²的劑量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，經(jīng)處理的背側(cè)以不超過每毫米70個接觸點的頻率接觸所述一個或更多個接觸區(qū)中的每一個。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述背側(cè)特征的幅度彼此變化不超過10nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述處理包括不超過10μm的激光束交疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述處理包括利用激光處理來去除所述背側(cè)的一個或更多個膜和/或材料。

6.一種減少光刻畸變的方法，包括：

對半導體基片的背側(cè)進行紋理化；以及

利用在一個或更多個接觸區(qū)處支承所述基片的光刻工具在具有經(jīng)紋理化的背側(cè)的半導體基片上執(zhí)行光刻工藝，所述紋理化減小所述背側(cè)與所述一個或更多個接觸區(qū)之間的摩擦系數(shù)，

其中，所述紋理化包括將脈沖激光從所述半導體基片的背側(cè)施加至一個或更多個膜，

其中，所述脈沖激光包括在300nm和1400nm之間的波長，并且

其中，脈沖激光束包括150J/cm²的劑量。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述背側(cè)的紋理化至少部分地基于所述一個或更多個接觸區(qū)的尺寸。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，經(jīng)紋理化的背側(cè)以每微米5至10個接觸點的頻率接觸所述一個或更多個接觸區(qū)中的每一個。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，經(jīng)紋理化的背側(cè)的特征在垂直于所述半導體基片的表面的方向上的距離變化不大于10nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括：

在所述基片的前表面上產(chǎn)生圖像；

測量所述圖像中的相對于參考的變化；以及

根據(jù)所述變化在隨后的基片的前表面上產(chǎn)生與所述圖像不同的修改圖像。