[發(fā)明專利]薄膜晶體管和薄膜晶體管的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580083197.2
• 申請日: 2015-09-17
• 公開（公告）號: CN108028201B
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 松島吉明;石田茂;高倉良平;宇津木覺;野寺伸武;松本隆夫
• 申請（專利權(quán)）人: 堺顯示器制品株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京市中倫律師事務(wù)所 11410
• 代理人: 楊黎峰;鐘錦舜

1.一種薄膜晶體管，其具有基板、在該基板的表面形成的柵電極、在該柵電極的上側(cè)形成的硅層和一部分在該硅層的上側(cè)形成的源電極和漏電極，其特征在于，

所述硅層包含由非晶硅形成的非晶部、包含多晶硅的第1多晶部和包含多晶硅并且結(jié)晶性比所述第1多晶部低的第2多晶部，

所述第1多晶部設(shè)置于以下的相隔離的二處：包含將所述源電極投影于所述硅層的位置的一部分的位置和包含將所述漏電極投影于所述硅層的位置的一部分的位置，

所述第2多晶部設(shè)置于將二處的所述第1多晶部連接的位置，并且

在將所述源電極和所述漏電極投影于所述硅層的位置內(nèi)，所述第1多晶部中不含的部分包含在所述非晶部中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，在將所述源電極和所述漏電極投影于所述硅層的位置中包含所述硅層的端部的一部分，在該一部分中設(shè)置有所述非晶部。

3.一種薄膜晶體管的制造方法，其制造具有基板、在該基板的表面形成的柵電極、在該柵電極的上側(cè)形成的硅層和一部分在該硅層的上側(cè)形成的源電極和漏電極的薄膜晶體管，其特征在于，包含：

形成由非晶硅構(gòu)成的硅層的工序，

對形成的硅層中的一部分照射能量束而生成含有多晶硅的第1多晶部，向所述硅層中的另一部分照射強度比所述能量束低的能量束而生成包含多晶硅、結(jié)晶性比所述第1多晶部低的第2多晶部的結(jié)晶化工序，和

對所述硅層進行蝕刻以使所述第1多晶部、所述第2多晶部和沒有照射能量束的非晶部殘留的工序，

其中，所述第1多晶部設(shè)置于以下的相隔離的二處：包含將所述源電極投影于所述硅層的位置的一部分的位置和包含將所述漏電極投影于所述硅層的位置的一部分的位置，

所述第2多晶部設(shè)置于將二處的所述第1多晶部連接的位置，并且

在將所述源電極和所述漏電極投影于所述硅層的位置內(nèi)，所述第1多晶部中不含的部分包含在所述非晶部中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述結(jié)晶化工序是通過掩模將能量束照射于所述硅層，所述掩模包含：遮蔽所述能量束的遮蔽部、使所述能量束透過的第1透過部和以比該第1透過部低的透過率使所述能量束透過的第2透過部。