[發(fā)明專利]引導的表面波的激勵和使用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580082160.8
• 申請日: 2015-09-30
• 公開（公告）號: CN107925148B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發(fā)明（設計）人: J.F.科勒姆;K.L.科勒姆
• 申請（專利權）人: CPG技術有限責任公司
• 主分類號: H01Q1/00
• 分類號: H01Q1/00;H01P5/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張曉明

1.一種電力傳輸方法，包括：

將充電終端定位在損耗導電介質(zhì)上方的限定高度處；

調(diào)整連接到所述充電終端的饋電網(wǎng)絡的相位延遲(Φ)以匹配與和所述損耗導電介質(zhì)相關聯(lián)的復布儒斯特入射角(θ_i，B)相對應的波傾斜角(Ψ)；

基于與所述損耗導電介質(zhì)相關聯(lián)的圖像接地平面阻抗(Z_in)來調(diào)整所述充電終端的負載阻抗(Z_L)；以及

經(jīng)由饋電網(wǎng)絡用激勵電壓激勵所述充電終端，其中所述激勵電壓建立了沿著所述損耗導電介質(zhì)的表面耦合到引導的表面波導模式中的電場。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述饋電網(wǎng)絡包括耦合到所述充電終端的饋電線路導體和在所述損耗導電介質(zhì)和所述饋電線路導體之間耦合的線圈，其中所述饋電網(wǎng)絡的相位延遲(Φ)包括與所述饋電線路導體相關聯(lián)的相位延遲(θ_y)和與所述線圈相關聯(lián)的相位延遲(θ_c)。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中調(diào)整所述相位延遲(Φ)包括調(diào)整與所述線圈相關聯(lián)的相位延遲(θ_c)。

4.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中所述饋電線路導體的連接被重新定位在線圈上以調(diào)整與所述線圈相關聯(lián)的相位延遲(θ_c)。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中所述饋電線路導體的連接經(jīng)由可變抽頭被重新定位在所述線圈上。

6.根據(jù)權利要求1到5的任一項所述的方法，其中與所述損耗導電介質(zhì)相關聯(lián)的復布儒斯特入射角(θ_i，B)基于所述激勵電壓的工作頻率和所述損耗導電介質(zhì)的特性。

7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中所述損耗導電介質(zhì)的特性包括傳導率和介電常數(shù)。

8.根據(jù)權利要求1到5的任一項所述的方法，其中所述圖像接地平面阻抗(Z_in)至少部分地基于所述損耗導電介質(zhì)的物理邊界和導電圖像接地平面之間的相移(θ_d)。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中通過復深度分離所述損耗導電介質(zhì)的物理邊界和所述導電圖像接地平面。

10.根據(jù)權利要求1到5的任一項所述的方法，其中所述充電終端的負載阻抗(Z_L)基于所述圖像接地平面阻抗(Z_in)的電抗分量來調(diào)整。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中調(diào)整所述充電終端的負載阻抗(Z_L)以將所述圖像接地平面阻抗(Z_in)的電抗分量與和所述饋電網(wǎng)絡以及所述充電終端相關聯(lián)的結構阻抗(Z_base)匹配。

12.根據(jù)權利要求1到5的任一項所述的方法，其中所述饋電網(wǎng)絡的相位延遲(Φ)在調(diào)整所述充電終端的負載阻抗(Z_L)的同時被固定。

13.根據(jù)權利要求1到5的任一項所述的方法，其中所述充電終端具有有效的球面直徑，并且所述充電終端的限定高度可以至少是有效球面直徑的四倍以減小束縛電容。

14.根據(jù)權利要求1到5的任一項所述的方法，其中所述充電終端經(jīng)由線圈被耦合到激勵源。

15.根據(jù)權利要求1到5的任一項所述的方法，包括：

感測所述損耗導電介質(zhì)的特性的變化；以及

響應于所述損耗導電介質(zhì)的特性的變化，調(diào)整連接到所述充電終端的饋電網(wǎng)絡的相位延遲(Φ)以匹配修改的波傾斜角，所述修改的波傾斜角對應于與具有改變的特性的損耗導電介質(zhì)相關聯(lián)的復布儒斯特入射角。