[發(fā)明專利]低熱阻懸掛管芯封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580081973.5 | 申請日: | 2015-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN107851622B | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | C·蓋斯勒;G·塞德曼;S·科勒;J·普羅施維茨 | 申請(專利權(quán))人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L23/34 | 分類號: | H01L23/34;H01L23/48 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低熱 懸掛 管芯 封裝 | ||
1.一種用于管芯的封裝,包括:
有源側(cè)平面和與所述有源側(cè)平面相對的非有源側(cè)平面,所述有源側(cè)平面和所述非有源側(cè)平面彼此平行;
球柵陣列BGA矩陣,其電耦合到所述封裝的所述有源側(cè),所述BGA矩陣具有由所述BGA矩陣的最遠(yuǎn)點到所述封裝的所述有源側(cè)平面的距離確定的高度;
懸掛管芯,其附接到所述封裝的所述有源側(cè)平面,所述懸掛管芯具有大于所述BGA矩陣高度的z高度;
具有附接到并電耦合到所述BGA矩陣的有源側(cè)平面的襯底;
與所述懸掛管芯和所述襯底接觸的導(dǎo)熱材料,
其中,所述懸掛管芯的底部具有背側(cè)金屬化層,所述背側(cè)金屬化層具有連接到所述導(dǎo)熱材料的金屬間化合物相。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝,其中第二管芯被模制到所述封裝內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的封裝,其中所述懸掛管芯電耦合到并平行于所述封裝的所述有源側(cè)平面。
4.如權(quán)利要求3所述的封裝,其中所述懸掛管芯是多個懸掛管芯的組合。
5.如權(quán)利要求1所述的封裝,其中所述封裝的所述有源側(cè)、所述懸掛管芯的所述有源側(cè)和所述襯底的所述有源側(cè)在第一方向x和垂直于所述第一方向x的第二方向y上大體上彼此平行,并且在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上具有相應(yīng)的z高度測量值;
其中所述襯底包括在所述襯底的所述有源側(cè)平面處開始并繼續(xù)到所述襯底的主體內(nèi)的襯底凹槽;并且
其中當(dāng)所述封裝耦合到所述襯底時,所述懸掛管芯位于所述襯底凹槽的全部或部分內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝,其中當(dāng)所述封裝與所述襯底耦合時,所述懸掛管芯不與所述襯底接觸。
7.如權(quán)利要求5所述的封裝,其中當(dāng)所述封裝與所述襯底耦合時,所述懸掛管芯的至少部分與所述襯底相切。
8.如權(quán)利要求5所述的封裝,其中當(dāng)所述封裝與所述襯底耦合時,耗散熱的材料將位于所述襯底凹槽的全部或部分內(nèi)的所述懸掛管芯部分的至少部分直接連接到所述襯底的至少部分。
9.如權(quán)利要求8所述的封裝,其中散熱器附接到所述相對的襯底側(cè)面;并且
其中所述散熱器直接連接到所述耗散熱的材料。
10.如權(quán)利要求8所述的封裝,其中所述耗散熱的材料是導(dǎo)熱膏、間隙墊、散熱器鼻部或印刷的焊膏中的一種或多種。
11.如權(quán)利要求8所述的封裝,其中所述耗散熱的材料還包括金屬間化合物。
12.如權(quán)利要求5所述的封裝,其中所述襯底是PCB,且所述襯底中的所述凹槽是PCB切口。
13.如權(quán)利要求5所述的封裝,其中所述懸掛管芯利用底部填充材料連接到所述襯底。
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