[發明專利]貴金屬在導電連接器的形成中的使用

在審

• 申請號: 201580080587.4
• 申請日: 2015-06-03
• 公開（公告）號: CN107889539A
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: C.J.耶澤夫斯基;S.穆克爾杰;D.B.伯格斯特龍;T.K.英杜庫里;F.格里焦;R.V.切比亞姆;J.S.克拉克
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 申屠偉進,杜荔南

1.一種導電連接器，包括：

導電接合區之上的電介質材料層；

穿過電介質材料層延伸到導電接合區的部分的開口；

開口的側壁上和導電接合區上的屏障襯墊；以及

屏障襯墊上的貴金屬。

2.權利要求1所述的導電連接器，其中貴金屬包括從包括以下各項的組選擇的材料：釕、鉑、鈀、銠、錸和銥。

3.權利要求1所述的導電連接器，其中屏障襯墊上的貴金屬構成屏障襯墊上的保形貴金屬層。

4.權利要求3所述的導電連接器，還包括保形貴金屬層上的導電填充材料。

5.權利要求4所述的導電連接器，其中導電填充材料包括從包括以下各項的組選擇的材料：鈷、釕、鉑、鈀、錸、銥、鉬、鎳、硅、鎢、銀，及其合金、硼化物、碳化物、硅化物和氮化物。

6.權利要求1所述的導電連接器，其中屏障襯墊上的貴金屬填充開口。

7.權利要求1至6中的任一項所述的導電連接器，其中屏障襯墊包括從包括以下各項的組選擇的材料：鈦、鉭、鎢、鉬及其氮化物。

8.權利要求1至6中的任一項所述的導電連接器，其中導電接合區構成晶體管的部分。

9.權利要求1至6中的任一項所述的導電連接器，其中導電接合區構成導電布線的部分。

10.一種制作導電連接器的方法，包括：

在導電接合區之上形成電介質材料層；

形成穿過電介質材料層以暴露導電接合區的部分的開口；

在開口的側壁上和在導電接合區的暴露部分上形成屏障襯墊；以及

在屏障襯墊上沉積貴金屬。

11.權利要求10所述的方法，其中沉積貴金屬包括沉積從包括以下各項的組選擇的材料：釕、鉑、鈀、銠、錸和銥。

12.權利要求10所述的方法，其中在屏障襯墊上沉積貴金屬包括在屏障襯墊上形成保形貴金屬層。

13.權利要求12所述的方法，還包括在保形貴金屬層上沉積導電填充材料。

14.權利要求13所述的方法，其中沉積導電填充材料包括沉積從包括以下各項的組選擇的導電填充材料：鈷、釕、鉑、鈀、錸、銥、鉬、鎳、硅、鎢、銀，及其合金、硼化物、碳化物、硅化物和氮化物。

15.權利要求10所述的方法，其中在屏障襯墊上沉積貴金屬包括利用貴金屬填充開口。

16.權利要求10至15中的任一項所述的方法，其中形成屏障襯墊包括由從包括以下各項的組選擇的材料形成屏障襯墊：鈦、鉭、鎢、鉬及其氮化物。

17.權利要求10至15中的任一項所述的方法，其中在導電接合區之上形成電介質材料層包括：在導電接合區之上形成電介質材料層，其中導電接合區構成晶體管的部分。

18.權利要求10至15中的任一項所述的方法，其中在導電接合區之上形成電介質材料層包括：在導電接合區之上形成電介質材料層，其中導電接合區構成導電布線的部分。

19.一種電子系統，包括

板；以及

附接到板的微電子組件，其中微電子組件和板中的至少一個包括導電連接器，所述導電連接器包括：

導電接合區之上的電介質材料層；

穿過電介質材料層延伸到導電接合區的部分的開口；

開口的側壁上和導電接合區上的屏障襯墊；以及

屏障襯墊上的貴金屬。

20.權利要求19所述的電子系統，其中貴金屬包括從包括以下各項的組選擇的材料：釕、鉑、鈀、銠、錸和銥。

21.權利要求19所述的電子系統，其中屏障襯墊上的貴金屬構成屏障襯墊上的保形貴金屬層。

22.權利要求21所述的電子系統，還包括保形貴金屬層上的導電填充材料。

23.權利要求22所述的電子系統，其中導電填充材料包括從包括以下各項的組選擇的材料：鈷、釕、鉑、鈀、錸、銥、鉬、鎳、硅、鎢、銀，及其合金、硼化物、碳化物、硅化物和氮化物。

24.權利要求19所述的電子系統，其中屏障襯墊上的貴金屬填充開口。

25.權利要求19至24中的任一項所述的電子系統，其中屏障襯墊包括從包括以下各項的組選擇的材料：鈦、鉭、鎢及其氮化物。