[發明專利]氮化物半導體紫外線發光元件

有效

• 申請號: 201580080488.6
• 申請日: 2015-07-21
• 公開（公告）號: CN107636847B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 金田倫子;西瑞爾·佩諾特;平野光
• 申請（專利權）人: 創光科學株式會社
• 主分類號: H01L33/16
• 分類號: H01L33/16;H01L33/32
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種氮化物半導體紫外線發光元件，其特征在于，

其具備：包含由具有通過相對于(0001)面傾斜而形成有多階段狀平臺的表面的藍寶石而成的基板、和被形成于所述基板表面上的A1N層的基底部，和

與被形成于所述基底部表面上的、包含具有A1GaN系半導體層的活性層的發光部；

至少，所述基底部的所述A1N層、所述發光部的所述活性層及其間的各層，是憑借階梯流動成長而形成的，所述階梯流動成長是通過多階段狀平臺的側面成長而進行二維成長的，

所述活性層具有至少包含1個由Al_XGa_1-XN構成的阱層的量子阱結構，其中，0＜X＜1，

在所述活性層的表面，25μm見方區域的平均粗糙度成為所述阱層的厚度以上且10nm以下。

2.如權利要求1所述的氮化物半導體紫外線發光元件，其中，

在所述發光部所包含的所述活性層的表面，25μm見方區域的平均粗糙度成為3nm以上。

3.如權利要求1所述的氮化物半導體紫外線發光元件，其中，

在所述發光部所包含的所述活性層的表面，25μm見方區域的平均粗糙度成為6nm以下。

4.如權利要求2所述的氮化物半導體紫外線發光元件，其中，

在所述發光部所包含的所述活性層的表面，25μm見方區域的平均粗糙度成為6nm以下。

5.如權利要求1～4中任一項所述的氮化物半導體紫外線發光元件，其中，

在所述發光部所包含的、在緊鄰所述活性層之前被形成的層的表面，25μm見方區域的平均粗糙度成為所述阱層的厚度以上且10nm以下。

6.如權利要求1～4中任一項所述的氮化物半導體紫外線發光元件，其中，

所述活性層、與所述發光部所包含的在緊鄰所述活性層之前被形成的層的各自表面的25μm見方區域的平均粗糙度之差的絕對值除以所述活性層表面的25μm見方區域的平均粗糙度的比值，為10％以下。

7.如權利要求1～4中任一項所述的氮化物半導體紫外線發光元件，其中，

在所述基底部所包含的所述A1N層的表面，以上面俯視，所述基板的傾斜方向的平臺的平均幅寬為0.3μm以上且1μm以下。

8.如權利要求1～4中任一項所述的氮化物半導體紫外線發光元件，其中，

在所述基底部所包含的所述A1N層的表面，平臺所形成的階差的平均高度為8nm以上且14nm以下。

9.如權利要求1～4中任一項所述的氮化物半導體紫外線發光元件，其中，

在所述發光部所包含的所述活性層的表面，25μm見方區域的高度的頻數分布，成為隨著高度從0開始增大，從向下凸的曲線變成向上凸的曲線的同時單調增加而達到極大值后，從向上凸的曲線變成向下凸的曲線的同時單調減少的曲線狀。

10.如權利要求1～4中任一項所述的氮化物半導體紫外線發光元件，其中，

峰值發光波長為230nm以上且340nm以下。