[發明專利]通過固相粘合劑和選擇性轉移的超薄功能性塊的異構集成

在審

• 申請號: 201580080366.7
• 申請日: 2015-06-26
• 公開（公告）號: CN107646142A
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: K.君;J.M.詹森;P.莫羅;P.B.費舍爾
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L25/07;H01L25/16
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 李嘯,劉春元

1.一種方法，包括：

將裝置襯底耦合至載體襯底；

對齊所述裝置襯底的部分至主機襯底；

將所述裝置襯底的所述部分從所述載體襯底分開；以及

在分開所述裝置襯底的所述部分之后，將所述裝置襯底的所述部分耦合至所述主機襯底。

2.如權利要求1所述的方法，其中，裝置晶圓包括裝置側和后側，以及將所述裝置襯底耦合至所述載體襯底包括在所述裝置側處耦合。

3.如權利要求1所述的方法，其中，在將所述裝置襯底耦合至載體襯底之前，所述方法包括將粘合劑施加到所述裝置襯底和所述載體襯底中的一個，以及耦合包括通過所述載體襯底將所述裝置襯底耦合至所述載體襯底。

4.如權利要求3所述的方法，其中，所述粘合劑包括固相粘合劑。

5.如權利要求3所述的方法，其中，分開包括將所述粘合劑暴露到電磁輻射。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述裝置襯底包括多個管芯，以及分開所述裝置襯底的部分包括分開少于所述多個管芯的全部。

7.如權利要求1所述的方法，其中，所述裝置襯底包括第一半導體材料，以及所述主機襯底包括不同的第二半導體材料。

8.如權利要求1所述的方法，其中，所述裝置襯底的所述部分包括第一裝置襯底，所述方法還包括在耦合所述第一裝置襯底之后，將第二裝置襯底耦合至所述主機襯底。

9.如權利要求8所述的方法，其中，所述第一裝置襯底包括第一半導體材料，以及所述第二裝置襯底包括不同的第二半導體材料。

10.一種方法，包括：

利用裝置襯底的裝置側和載體襯底之間的粘合劑將所述裝置襯底耦合至所述載體襯底；

在將所述裝置襯底耦合至所述載體襯底之后，使所述裝置襯底變薄；

對齊變薄的裝置襯底的部分至主機襯底；

將所述裝置襯底的所述部分從所述載體襯底分開；以及

將所述裝置襯底的分開的部分耦合至所述主機襯底。

11.如權利要求10所述的方法，其中，所述粘合劑包括固相粘合劑。

12.如權利要求10所述的方法，其中，變薄包括使所述裝置襯底變薄到亞微米厚度。

13.如權利要求10所述的方法，其中，分開包括將所述粘合劑暴露到電磁輻射。

14.如權利要求10所述的方法，其中，所述裝置襯底包括第一半導體材料，以及所述主機襯底包括不同的第二半導體材料。

15.如權利要求10所述的方法，其中，所述裝置襯底的所述部分包括第一裝置襯底，所述方法還包括在耦合所述第一裝置襯底之后，將第二裝置襯底耦合至所述主機襯底。

16.如權利要求15所述的方法，其中，所述第一裝置襯底包括第一半導體材料，以及所述第二裝置襯底包括不同的第二半導體材料。

17.一種設備，包括：

在堆疊布置中耦合至主機襯底的裝置襯底，所述裝置襯底包含亞微米厚度和裝置層。

18.如權利要求17所述的設備，其中，所述裝置襯底包括第一半導體材料，以及所述主機襯底包括不同的第二半導體材料。

19.如權利要求17所述的設備，其中，所述裝置襯底包括第一裝置襯底，所述設備還包括在堆疊布置中耦合至所述主機襯底的第二裝置襯底。

20.如權利要求19所述的設備，其中，所述第一裝置襯底包括第一半導體材料，以及所述第二裝置襯底包括不同的第二半導體材料。