[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580080357.8
• 申請(qǐng)日: 2015-05-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107615463B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中田洋輔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01L21/304;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有下述工序：

準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板的工序，該半導(dǎo)體基板具有第1主面和位于所述第1主面的相反側(cè)的第2主面；

在所述第1主面之上形成第1電極的工序；

在所述第1電極之上形成焊料接合用金屬膜的工序；

在所述焊料接合用金屬膜之上形成犧牲膜的工序；

在形成所述犧牲膜之后對(duì)所述第2主面進(jìn)行磨削的工序；

在所述進(jìn)行磨削的工序之后進(jìn)行熱處理的工序；

在所述進(jìn)行熱處理的工序之后將所述犧牲膜去除的工序；以及

將所述焊料接合用金屬膜與外部電極進(jìn)行焊料接合的工序,

構(gòu)成所述犧牲膜的材料由滿足下述條件的元素構(gòu)成，即，原子序數(shù)小于或等于22且所述犧牲膜不包含堿金屬、堿土類金屬，

構(gòu)成所述犧牲膜的材料是與所述焊料接合用金屬膜相比能夠選擇性地去除的材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述選擇性地去除是通過(guò)蝕刻進(jìn)行的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

構(gòu)成所述犧牲膜的材料包含鈦以及鋁中的至少任一者。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

構(gòu)成所述焊料接合用金屬膜的材料包含原子序數(shù)大于或等于23的金屬元素。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

構(gòu)成所述焊料接合用金屬膜的材料包含鎳。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

具有在所述半導(dǎo)體基板的所述第1主面之上形成保護(hù)膜的工序。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

將所述犧牲膜去除的工序是在所述形成保護(hù)膜的工序之后實(shí)施的。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述進(jìn)行磨削的工序是在所述形成保護(hù)膜的工序之后實(shí)施的。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

構(gòu)成所述保護(hù)膜的材料包含聚酰亞胺。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

構(gòu)成所述第1電極的材料包含鋁，

所述第1電極中的鋁的含有率大于或等于95質(zhì)量％。