[發(fā)明專(zhuān)利]IV族襯底上的III-N MEMS結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580080280.4
• 申請(qǐng)日: 2015-06-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107667069B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·W·田;S·達(dá)斯古普塔;S·K·加德納;R·皮拉里塞泰;M·拉多薩夫列維奇;S·H·宋;R·S·周
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類(lèi)號(hào): B81C1/00
• 分類(lèi)號(hào): B81C1/00;G01L1/18;G01L1/22
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;韓宏

1.一種集成電路，包括：

襯底；

III族材料-氮化物層，所述III族材料-氮化物層包括在所述襯底上的固定部分和懸置于所述襯底上方的自由部分；以及

壓阻元件，所述壓阻元件在所述III族材料-氮化物層上，其中，所述壓阻元件包括銦漸變的氮化銦鎵層，所述銦漸變的氮化銦鎵層中的銦含量在其中間處最大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述襯底是硅、硅鍺或鍺體襯底的其中之一。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述III族材料-氮化物層是氮化鎵。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述III族材料-氮化物層是氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化鋁、氮化銦鎵和氮化鋁銦鎵的其中之一。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述III族材料-氮化物層具有0.5至2微米的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述III族材料-氮化物層的所述自由部分從所述固定部分延伸2到100微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述壓阻元件包括所述III族材料-氮化物層上的極化層以及至少一個(gè)附加所述III族材料-氮化物層和所述極化層，以形成多量子阱(MQW)架構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述壓阻元件還包括極化層，以形成三維電子氣(3DEG)架構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，還包括所述壓阻元件上的金屬接觸部。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述襯底包括片上系統(tǒng)（SoC）中的控制器或處理器的至少其中之一。

11.一種微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）傳感器，包括根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的集成電路。

12.一種計(jì)算系統(tǒng)，包括根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的集成電路。

13.一種微機(jī)電系統(tǒng)器件，包括：

III族材料-氮化物層，所述III族材料-氮化物層包括襯底上的固定部分和懸置于所述襯底上方的自由部分；以及

壓阻元件，所述壓阻元件在所述III族材料-氮化物層上，其中，所述壓阻元件包括銦漸變的氮化銦鎵層，所述銦漸變的氮化銦鎵層中的銦含量在其中間處最大。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微機(jī)電系統(tǒng)器件，其中，所述襯底包括硅或鍺中的一個(gè)或兩者。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微機(jī)電系統(tǒng)器件，其中，所述III族材料-氮化物層是氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化鋁、氮化銦鎵或氮化鋁銦鎵的其中之一。

16.根據(jù)權(quán)利要求13-15中任一項(xiàng)所述的微機(jī)電系統(tǒng)器件，其中，所述微機(jī)電系統(tǒng)器件是微機(jī)電系統(tǒng)傳感器。

17.一種形成集成電路的方法，所述方法包括：

在襯底上沉積III族材料-氮化物層；

在所述III族材料-氮化物層上形成至少一個(gè)壓阻元件，其中，所述至少一個(gè)壓阻元件包括銦漸變的氮化銦鎵層，所述銦漸變的氮化銦鎵層中的銦含量在其中間處最大；以及

蝕刻位于所述III族材料-氮化物層的至少部分之下的下方材料以釋放所述III族材料-氮化物層的部分，使得所述III族材料-氮化物層的所述部分懸置于所述襯底上方，其中，所述下方材料是所述襯底和所述襯底上的淺溝槽隔離材料的至少其中之一。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括在沉積所述層之前在所述襯底中圖案化一個(gè)或多個(gè)鰭狀物。