[發明專利]光學分析裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201580079131.6
• 申請日: 2015-04-24
• 公開（公告）號: CN107532995B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 長井悠佑
• 申請（專利權）人: 株式會社島津制作所
• 主分類號: G01N21/05
• 分類號: G01N21/05;G01N21/59;G01N35/08
• 代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300
• 代理人: 肖華

1.一種光學分析裝置，其特征在于，具備：

a)基體，其由作為化合物半導體元件用、或者有機半導體元件用的基板而被使用的透明或者半透明的材料形成，在其內部形成有供試樣溶液流通的流路；

b)半導體發光部，其一體地形成在內部形成有所述流路的所述基體的外表面，并透過所述基體對所述流路中的試樣溶液照射光；以及

c)半導體受光部，其一體地形成在所述基體的外表面的、來自所述流路中的試樣溶液的光透過所述基體所到達的位置上，所述流路中的該試樣溶液面對所述半導體發光部的照射光，

所述流路為直管狀，

所述半導體發光部和所述半導體受光部位于通過所述流路的軸線相互對置的兩側，并且位于在所述流路的長度方向上相互偏離的位置。

2.如權利要求1所述的光學分析裝置，其特征在于，

所述半導體發光部包括：第一n型氮化鎵薄膜層，其被形成在所述基體的外表面；活性層，其為在所述第一n型氮化鎵薄膜層的上表面形成的氮化銦鎵和氮化鎵的多層膜；第一p型氮化鎵薄膜層，其被形成在所述活性層的上表面；第一電極，其被形成在所述第一n型氮化鎵薄膜層的上表面；以及第二電極，其被形成在所述第一p型氮化鎵薄膜層的上表面，

所述半導體受光部包括：第二n型氮化鎵薄膜層，其形成在所述基體的外表面；受光層，其為在所述第二n型氮化鎵薄膜層的上表面形成的低帶隙的氮化鎵系晶體層；第二p型氮化鎵薄膜層，其被形成在所述受光層的上表面；第三電極，其被形成在所述第二n型氮化鎵薄膜層的上表面；以及第四電極，其被形成在所述第二p型氮化鎵薄膜層的上表面。

3.如權利要求1所述的光學分析裝置，其特征在于，

所述基體由選自藍寶石、氮化鋁、氧化鉍鍺、金剛石、氧化鋁、碳化硅以及氧化鋅的材料構成。

4.一種光學分析裝置的制造方法，所述光學分析裝置包括基體，所述基體由作為化合物半導體元件用、或者有機半導體元件用的基板而被使用的透明或者半透明的材料形成，在其內部形成有供試樣溶液流通的流路，

所述光學分析裝置的制造方法的特征在于，包括：

第一步驟，通過半導體制造工序在內部形成有所述流路的所述基體的外表面形成半導體發光部，所述半導體發光部透過所述基體對所述流路中的試樣溶液照射光；以及

第二步驟，通過半導體制造工序在所述基體的外表面的、來自所述流路中的試樣溶液的光透過所述基體所到達的位置上形成半導體受光部，所述流路中的該試樣溶液面對所述半導體發光部的照射光，

所述流路為直管狀，

所述半導體發光部和所述半導體受光部位于通過所述流路的軸線相互對置的兩側，并且位于在所述流路的長度方向上相互偏離的位置。

5.如權利要求4所述的光學分析裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一步驟包括：在所述基體的外表面形成第一n型氮化鎵薄膜層；在所述第一n型氮化鎵薄膜層的上表面形成活性層，所述活性層為氮化銦鎵和氮化鎵的多層膜；在所述活性層的上表面形成第一p型氮化鎵薄膜層；在所述第一n型氮化鎵薄膜層的上表面形成第一電極；以及在所述第一p型氮化鎵薄膜層的上表面形成第二電極，

所述第二步驟包括：在所述基體的外表面形成第二n型氮化鎵薄膜層；在所述第二n型氮化鎵薄膜層的上表面形成受光層，所述受光層為低帶隙的氮化鎵系晶體層；在所述受光層的上表面形成第二p型氮化鎵薄膜層；在所述第二n型氮化鎵薄膜層的上表面形成第三電極；以及在所述第二p型氮化鎵薄膜層的上表面形成第四電極。