[發(fā)明專(zhuān)利]電磁波屏蔽材料有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580078484.4 | 申請(qǐng)日： | 2015-06-18 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107432102B | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 田中幸一郎 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 捷客斯金屬株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H05K9/00 | 分類(lèi)號(hào)： | H05K9/00;B32B15/08;C23C8/10 |
| 代理公司： | 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;楊思捷 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電磁波 屏蔽 材料 | ||
1.電磁波屏蔽材料，其具有使至少2片金屬箔夾著絕緣層層疊而得的結(jié)構(gòu)，各金屬箔的與絕緣層相接的界面的金屬氧化物層的厚度分別為1～20nm，其中，所述金屬氧化物層由所述金屬箔含有的金屬的氧化物形成。
2.權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽材料，其中，在金屬箔表面構(gòu)成電磁波屏蔽材料的外表面時(shí)，該金屬箔外表面的金屬氧化物層的厚度為1～30nm。
3.權(quán)利要求1或2所述的電磁波屏蔽材料，其中，各金屬箔的厚度分別為4～50μm。
4.權(quán)利要求1或2所述的電磁波屏蔽材料，其中，金屬箔的總厚度為8～200μm。
5.權(quán)利要求1或2所述的電磁波屏蔽材料，其中，各絕緣層的相對(duì)介電常數(shù)在20℃下為2.0～10.0。
6.權(quán)利要求1或2所述的電磁波屏蔽材料，其中，各金屬箔的導(dǎo)電率在20℃下為1.0×106S/m以上。
7.權(quán)利要求1或2所述的電磁波屏蔽材料，其中，各絕緣層的厚度為6～500μm。
8.權(quán)利要求1或2所述的電磁波屏蔽材料，所述電磁波屏蔽材料的整體厚度為14～1000μm。
9.權(quán)利要求7所述的電磁波屏蔽材料，其中，各絕緣層的厚度為40～500μm。
10.權(quán)利要求1或2所述的電磁波屏蔽材料，其中，各金屬箔的與絕緣層相接的界面的金屬氧化物層的厚度分別為1～8nm。
11.權(quán)利要求1或2所述的電磁波屏蔽材料，其中，在金屬箔表面未形成鉻氧化物層。
12.電氣/電子設(shè)備用的被覆材料或包裝材料，其具備權(quán)利要求1～8的任一項(xiàng)所述的電磁波屏蔽材料。
13.電氣/電子設(shè)備，其具備權(quán)利要求12所述的被覆材料或包裝材料。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于捷客斯金屬株式會(huì)社，未經(jīng)捷客斯金屬株式會(huì)社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201580078484.4/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
