[發(fā)明專利]不透氣體艙和光學(xué)電壓傳感器的組件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580077979.5 | 申請(qǐng)日： | 2015-03-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107430157B | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | S.V.馬徹塞;顧遜;B.布于克卡維;K.博內(nèi)特;T.埃福德 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | ABB瑞士股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01R15/24 | 分類號(hào)： | G01R15/24 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 肖日松;李強(qiáng) |
| 地址： | 瑞士*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 不透 氣體 光學(xué) 電壓 傳感器 組件 | ||
1.一種包括光學(xué)電壓傳感器和不透氣體艙(1a)的組件，所述光學(xué)電壓傳感器包括模塊(1c)，
其中所述模塊(1c)包括第一電極(7)和第二電極(8)，以用于施加限定待測量的電壓的電位差，以及電光晶體(9)，所述電光晶體(9)具有電連接于所述第一電極(7)的第一刻面(9a)和電連接于所述第二電極(8)的第二刻面(9b)，
其中所述不透氣體艙(1a)和所述模塊(1c)設(shè)計(jì)成使得所述模塊(1c)可安裝在所述不透氣體艙(1a)中，
其中所述電光晶體(9)為所述模塊(1c)的機(jī)械地連接兩個(gè)電極(7,8)且橋接所述兩個(gè)電極(7,8)的電位的唯一元件，其中所述電光晶體(9)的第一刻面(9a)和第二刻面(9b)局部地或完全地涂覆有導(dǎo)電層(10)，所述導(dǎo)電層(10)在兩個(gè)刻面(9a,9b)處為透明的，或在一個(gè)刻面(9a)處為透明的且在另一個(gè)刻面(9b)處為反射的，
其特征在于，暴露于電位降的所述電光晶體(9)的表面部分局部地或完全地涂覆有具有中等導(dǎo)電性的層(41b)，所述中等導(dǎo)電性大于所述電光晶體(9)的導(dǎo)電性且小于所述第一刻面(9a)和所述第二刻面(9b)處的導(dǎo)電層(10)的導(dǎo)電性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述模塊(1c)不包括包繞所述電光晶體(9)的具有開孔的絕緣體。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的組件，其特征在于，當(dāng)所述模塊(1c)安裝在所述不透氣體艙(1a)中且電位差施加于所述兩個(gè)電極(7,8)時(shí)，所述不透氣體艙(1a)不包括橋接所述兩個(gè)電極(7,8)的電位且沿其整個(gè)長度包繞所述電光晶體(9)的具有開孔的絕緣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述不透氣體艙(1a)包括，形狀確定成配合所述模塊(1c)的第一電極(7)的第一外電極(4)，以及形狀確定成配合所述模塊(1c)的第二電極(8)的第二外電極(5)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組件，其特征在于，所述模塊(1c)的至少一個(gè)電極(7,8)可由機(jī)械的、可逆的緊固裝置連接于對(duì)應(yīng)的外電極(4,5)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4至權(quán)利要求5中任一項(xiàng)所述的組件，其特征在于，所述第一外電極(4)電連接于穿過絕緣壁(3)引導(dǎo)到所述不透氣體艙(1a)中的導(dǎo)體(2)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組件，其特征在于，所述第二外電極(5)與所述不透氣體艙(1a)的導(dǎo)電壁(1b)電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，當(dāng)所述模塊(1c)安裝在所述不透氣體艙(1a)中且電位差施加于所述兩個(gè)電極(7,8)時(shí)，橋接所述兩個(gè)電極(7,8)的電位的所述不透氣體艙(1a)的任何元件離所述電光晶體(9)的距離超過所述電光晶體(9)的長度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述模塊(1c)具有縱向軸線，且所述模塊(1c)的各個(gè)電極(7,8)的側(cè)向延伸超過對(duì)應(yīng)刻面(9a,9b)的延伸至少兩倍。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述不透氣體艙(1a)的至少部分在其外側(cè)暴露于環(huán)境空氣。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，探查光沿從一個(gè)刻面(9a;9b)穿過所述電光晶體(9)至另一個(gè)刻面(9a;9b)的光路傳播至少一次，且所述電光晶體的晶體類及其相對(duì)于所述光路的晶體取向選擇成使得電光相移與電場沿穿過所述電光晶體(9)的光路的線積分成比例。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，至少一個(gè)基部元件(11,12)附接于所述兩個(gè)刻面(9a,9b)中的至少一者。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的組件，其特征在于，所述至少一個(gè)基部元件(11,12)中的至少一者為透明的。
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