[發(fā)明專利]電設(shè)備中的導(dǎo)熱ALD涂層在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580077953.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-03-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107429395A | 公開(公告)日: | 2017-12-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J·科斯塔莫;T·勒托;M·卡里亞;O·哈梅諾亞;J·薩爾米南 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 皮考遜公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/455 | 分類號(hào): | C23C16/455;H01L23/373;H05K7/20 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所11256 | 代理人: | 酆迅 |
| 地址: | 芬蘭*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 設(shè)備 中的 導(dǎo)熱 ald 涂層 | ||
1.一種用于在襯底的表面上提供導(dǎo)熱涂層的方法,包括:
通過ALD在所述襯底的所述表面上沉積第一材料的至少一個(gè)薄的連續(xù)層;其中
所述第一材料具有比所述襯底低的熱導(dǎo)率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:通過ALD在第一材料的至少一個(gè)所述層上沉積第二材料的至少一個(gè)薄的連續(xù)層。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法,還包括:沉積所述第一材料和所述第二材料的交替層。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法,其中所述第一材料和/或所述第二材料的所述薄的連續(xù)層是非晶的。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法,其中所述襯底包括高熱導(dǎo)率材料。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法,其中所述第一材料和/或所述第二材料包括非晶金屬氧化物。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法,其中所述第一材料和/或所述第二材料包括從包括鋁、鎂、鉿、鈦、鉭和鋯的組中選擇的材料。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法,其中所述第一材料和/或所述第二材料從包括氧化鋁、氧化鎂、氧化鉿、氧化鈦、氧化鉭和氧化鋯的組中選擇。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中所述涂層的厚度達(dá)到250nm。
10.一種導(dǎo)熱涂層,包括:
第一材料的至少一個(gè)薄的連續(xù)層,其通過ALD而被沉積在襯底的表面上;其中
所述第一材料具有比所述襯底低的熱導(dǎo)率。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的涂層,還包括:第二材料的至少一個(gè)薄的連續(xù)層,其通過ALD而被沉積在第一材料的至少一個(gè)所述層上。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的涂層,還包括:所述第一材料和所述第二材料的交替層,其通過ALD而被沉積。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的涂層,其中所述第一材料和/或所述第二材料的所述薄的連續(xù)層是非晶的。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的涂層,其中所述第一材料和/或所述第二材料包括非晶金屬氧化物。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的涂層,其中所述第一材料和/或所述第二材料包括從包括鋁、鎂、鉿、鈦、鉭和鋯的組中選擇的材料。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的涂層,其中所述第一材料和/或所述第二材料來自包括氧化鋁、氧化鎂、氧化鉿、氧化鈦、氧化鉭和氧化鋯的組。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的涂層,其中所述涂層的厚度達(dá)到250nm。
18.一種熱傳遞裝置,包括:
襯底;以及
根據(jù)權(quán)利要求10至17中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)熱涂層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熱傳遞裝置,其中所述襯底包括高熱導(dǎo)率材料。
20.一種裝置,包括:
熱源;以及
根據(jù)權(quán)利要求10至17中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)熱涂層;或者
根據(jù)權(quán)利要求18至19中的任一項(xiàng)所述的熱傳遞裝置。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置,其中所述裝置是電子設(shè)備、照明設(shè)備或微處理器。
22.一種方法,包括:
將來自電設(shè)備的熱源的熱量接收到ALD層中,所述ALD層具有第一材料的至少一個(gè)薄的連續(xù)層;以及
在所述ALD層中,通過聲子、將所接收的熱量遠(yuǎn)離所述熱源而傳遞。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法,其中所述ALD層包括根據(jù)權(quán)利要求10至17中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)熱涂層。
24.根據(jù)權(quán)利要求23或24所述的方法,其中所述ALD層利用根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的方法來提供。
25.一種電子裝置,包括:
熱源;以及
ALD層,具有第一材料的至少一個(gè)薄的連續(xù)層,所述裝置被配置為:在所述ALD層中,通過聲子、將從熱源接收到所述ALD層中的熱量遠(yuǎn)離所述熱源而傳遞。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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