[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580077872.0
• 申請(qǐng)日: 2015-05-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107690703B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 永嶋賢史;加藤竜也;坂本渉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11524
• 分類號(hào): H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/788;H01L29/792
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勛

本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：多根半導(dǎo)體柱，在第1方向延伸，且沿相對(duì)于所述第1方向交叉的第2方向排列；兩條配線，在所述第2方向延伸，且在相對(duì)于所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上，設(shè)置于所述多根半導(dǎo)體柱的兩側(cè)；及電極膜，配置于各所述半導(dǎo)體柱與各所述配線之間。所述兩條配線能夠相互獨(dú)立驅(qū)動(dòng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)

以往，NAND閃存是通過(guò)平面結(jié)構(gòu)的微細(xì)化使集成度增加，而降低位成本(bitcost)。然而，因伴隨微細(xì)化，寫(xiě)入/刪除窗口縮小，且可蓄積于各存儲(chǔ)單元的電子數(shù)減少，因此平面結(jié)構(gòu)的微細(xì)化越來(lái)越接近極限。因此，近年來(lái)，提出有沿上下方向積層存儲(chǔ)單元的技術(shù)。然而，這種積層型存儲(chǔ)裝置的問(wèn)題在于動(dòng)作的可靠性。

背景技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利特開(kāi)2013-182949號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

[發(fā)明所要解決的問(wèn)題]

實(shí)施方式的目的在于提供一種動(dòng)作可靠性高的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

[解決問(wèn)題的技術(shù)手段]

實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：多根半導(dǎo)體柱，在第1方向延伸，且沿相對(duì)于所述第1方向交叉的第2方向排列；兩條配線，在所述第2方向延伸，且在與所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上，設(shè)置于所述多根半導(dǎo)體柱的兩側(cè)；及電極膜，配置于各所述半導(dǎo)體柱與各所述配線之間。所述兩條配線能夠相互獨(dú)立驅(qū)動(dòng)。

附圖說(shuō)明

圖1是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的立體圖。

圖2是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的俯視圖。

圖3是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的剖視圖。

圖4是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的示意性電路圖。

圖5中的5(a)及5(b)是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的部分放大剖視圖。

圖6是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的立體圖。

圖7是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的立體圖。

圖8是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的立體圖。

圖9是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的立體圖。

圖10是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的立體圖。

圖11是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的立體圖。

圖12是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的剖視圖。

圖13是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的立體圖。

圖14是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的立體圖。

圖15是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的立體圖。

圖16是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的剖視圖。

圖17是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的立體圖。

圖18是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的立體圖。

圖19是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的立體圖。

圖20是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的立體圖。