[發(fā)明專利]襯底固持器和用于接合兩個(gè)襯底的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580077827.5 | 申請(qǐng)日: | 2015-04-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107533996B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | T.瓦根萊特納;T.普拉赫;J.M.聚斯;J.馬林格 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | EV集團(tuán)E·索爾納有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 盧江;杜荔南 |
| 地址: | 奧地利圣*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 固持器 用于 接合 兩個(gè) 方法 | ||
1.一種用于將第一襯底(11)與第二襯底(11')接合的方法,其中在第一步驟中使所述第一襯底(11)與所述第二襯底(11')彼此靠近,通過(guò)所述第二襯底(11')的熱輻射使得所述第一襯底(11)的溫度(T2o、T3o)提高;其中在第二步驟中,停止所述第一襯底(11)與所述第二襯底(11')的靠近且所述第一襯底(11)與所述第二襯底(11')之間的距離(d3)保持恒定,使得在恒定距離(d3)下,在至少一個(gè)時(shí)間段(t1)內(nèi)出現(xiàn)第一襯底(11)的恒定溫度(T4o);其中在第三步驟中,在所述時(shí)間段(t1)內(nèi),在所述第一襯底(11)的恒定溫度(T4o)下,將所述第一襯底(11)與所述第二襯底(11')至少暫時(shí)地彼此接合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述時(shí)間段(t1)內(nèi)出現(xiàn)所述恒定溫度(T4o)所處的距離(d3)處于1 mm與0 mm之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,在所述時(shí)間段(t1)內(nèi)出現(xiàn)所述恒定溫度(T4o)所處的距離(d3)處于100 μm與0 μm之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,在所述時(shí)間段(t1)內(nèi)出現(xiàn)所述恒定溫度(T4o)所處的距離(d3)處于10 μm與0 μm之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,在所述時(shí)間段(t1)內(nèi)出現(xiàn)所述恒定溫度(T4o)所處的距離(d3)處于1 μm與0 μm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至2之一所述的方法,其特征在于,在恒定距離(d3)下出現(xiàn)所述恒定溫度(T4o)所持續(xù)的時(shí)間段(t1)大于5秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,在恒定距離(d3)下出現(xiàn)所述恒定溫度(T4o)所持續(xù)的時(shí)間段(t1)大于10秒。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,在恒定距離(d3)下出現(xiàn)所述恒定溫度(T4o)所持續(xù)的時(shí)間段(t1)大于15秒。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,在恒定距離(d3)下出現(xiàn)所述恒定溫度(T4o)所持續(xù)的時(shí)間段(t1)大于20秒。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,在恒定距離(d3)下出現(xiàn)所述恒定溫度(T4o)所持續(xù)的時(shí)間段(t1)大于25秒。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至5之一所述的方法,其特征在于,所述時(shí)間段(t1)、所述距離(d3)和/或所述恒定溫度(T4o)在第一步驟之前被確定,所述確定憑經(jīng)驗(yàn)考慮:所述第二襯底(11')的溫度;用于固定所述第一襯底(11)與所述第二襯底(11')中的至少一個(gè)的襯底固持器(14、1、1'、1''、1'''、1IV)、用于將熱從所述襯底固持器的固定表面導(dǎo)出和/或用于向所述襯底固持器的固定表面輸送熱的導(dǎo)熱本體(2、2'、2''、2'''、2IV)、和/或所述第一襯底(11)與所述第二襯底(11')的材料;和/或所述靠近的速度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





