[發(fā)明專利]半導(dǎo)體X射線檢測器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580077791.0
• 申請日: 2015-04-07
• 公開（公告）號: CN107533146B
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹培炎;劉雨潤
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳幀觀德芯科技有限公司
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24
• 代理公司: 深圳市六加知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44372
• 代理人: 羅水江

1.一種適合于檢測x射線的裝置，其包括：

X射線吸收層，該X射線吸收層包括電極；

電子層，所述電子層包括：具有第一表面和第二表面的襯底、所述襯底中或所述襯底上的電子系統(tǒng)、所述第一表面上的電觸點(diǎn)、通孔和所述第二表面上的再分布層(RDL)；

其中所述再分布層包括傳輸線；

其中所述通孔從所述第一表面延伸到所述第二表面；

其中所述電極電連接到所述電觸點(diǎn)；

其中所述電子系統(tǒng)通過所述通孔電連接到所述電觸點(diǎn)和所述傳輸線；

其中所述電子系統(tǒng)包括：

第一電壓比較器，該第一電壓比較器配置成將所述電極的電壓與第一閾值比較；

第二電壓比較器，該第二電壓比較器配置成將所述電壓與第二閾值比較；

計數(shù)器，該計數(shù)器配置成記錄到達(dá)所述X射線吸收層的X射線光子的數(shù)目；

控制器；

其中所述控制器配置成從所述第一電壓比較器確定所述電壓的絕對值等于或超出所述第一閾值的絕對值的時間啟動時間延遲；

其中所述控制器配置成在所述時間延遲期間啟動所述第二電壓比較器；

其中所述控制器配置成如果所述第二電壓比較器確定所述電壓的絕對值等于或超出所述第二閾值的絕對值則促使所述計數(shù)器記錄的數(shù)目增加一。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述襯底具有200μm或更少的厚度。

3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其進(jìn)一步包括電連接到所述電極的電容器模組，其中所述電容器模組配置成從所述電極收集載流子。

4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述控制器配置成在所述時間延遲的開始或終止時啟動所述第二電壓比較器。

5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其進(jìn)一步包括電壓表，其中所述控制器配置成促使所述電壓表在所述時間延遲終止時測量電壓。

6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述控制器配置成基于在所述時間延遲終止時測量的電壓的值來確定X射線光子能量。

7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述控制器配置成使所述電極連接到電接地。

8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中在所述時間延遲終止時電壓的時間變化小于0.1％/ns。

9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中在所述時間延遲終止時電壓的時間變化是至少0.1％/ns。

10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述X射線吸收層包括二極管。

11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述X射線吸收層包括硅、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或其組合。

12.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置不包括閃爍體。

13.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置包括像素陣列。

14.一種系統(tǒng)，其包括如權(quán)利要求1所述的裝置以及X射線源，其中所述系統(tǒng)組態(tài)成對人的胸部或腹部進(jìn)行X射線放射攝影。

15.一種系統(tǒng)，其包括如權(quán)利要求1所述的裝置以及X射線源，其中所述系統(tǒng)組態(tài)成對人的口腔進(jìn)行X射線放射攝影。

16.一種貨物掃描或非侵入式檢查(NII)系統(tǒng)，其包括如權(quán)利要求1所述的裝置以及X射線源，其中所述貨物掃描或非侵入式檢查(NII)系統(tǒng)組態(tài)成使用背散射X射線來形成圖像。

17.一種貨物掃描或非侵入式檢查(NII)系統(tǒng)，其包括如權(quán)利要求1所述的裝置以及X射線源，其中所述貨物掃描或非侵入式檢查(NII)系統(tǒng)組態(tài)成使用透射通過所檢查物體的X射線來形成圖像。