[發明專利]用于檢測導電和/或可極化粒子的傳感器、傳感器系統、用于操作傳感器的方法、此類型傳感器的制造方法以及此類型傳感器用途有效
| 申請號: | 201580076848.5 | 申請日: | 2015-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN107430053B | 公開(公告)日: | 2021-02-23 |
| 發明(設計)人: | 蒂姆·阿斯穆斯;卡爾海因茨·韋南德;斯蒂芬·迪耶特曼;馬丁·孔茨 | 申請(專利權)人: | 賀利氏耐克森索斯有限責任公司 |
| 主分類號: | G01N15/06 | 分類號: | G01N15/06 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 德國小奧*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 檢測 導電 極化 粒子 傳感器 系統 操作 方法 類型 制造 以及 用途 | ||
1.一種用于檢測導電和/或可極化粒子的傳感器(10),所述傳感器(10)還用于檢測煙塵粒子(30)的尺寸,
其特征在于,包括
-襯底(11),
-第一電極層(12),
-第二電極層(13),其布置在所述襯底(11)和所述第一電極層(12)之間,
-至少一第一絕緣層(14),其形成于所述第一電極層(12)和所述第二電極層(13)之間,
-至少一第三電極層(50),其形成于所述第一絕緣層(14)和所述第一電極層(12)之間,以及
-至少一第二絕緣層(60),其形成于所述第三電極層(50)和所述第一電極層(12)之間,
至少一個開口(15、16、70、71),其分別形成于所述第一電極層(12)中、所述至少第二絕緣層(60)中、所述至少第三電極層(50)中和所述第一絕緣層(14)中,所述第一電極層(12)中的開口(15)、所述至少第二絕緣層(60)中的開口(71)、所述至少第三電極層(50)中的開口(70)和所述第一絕緣層(14)中的開口(16)彼此層疊布置,以便形成通向所述第二電極層(13)的至少一條通道(17、17'、17);所述至少一條通道的底部(28)由第二電極層的一部分形成,使得所述粒子通過所述通道(17、17'、17)到達所述底部(28),其中所述開口(15、16、70、71)的尺寸在所述第一電極層(12)朝向所述第二電極層(13)的方向上逐漸減小。
2.根據權利要求1所述的傳感器(10),
其特征在于
所述第一電極層(12)中的所述開口(15)形成于距所述第一電極層(12)的外圍區一距離處,所述第一絕緣層(14)中的所述開口(16)形成于距所述第一絕緣層(14)的外圍區一距離處,且所述至少第三電極層(50)中的所述開口(70)形成于距所述第三電極層(50)的外圍區一距離處,且所述至少第二絕緣層(60)中的所述開口(71)形成于距所述第二絕緣層(60)的外圍區一距離處。
3.根據權利要求1所述的傳感器(10),
其特征在于
所述第二電極層(13)間接連接到所述襯底(11),或直接連接到所述襯底(11)。
4.根據權利要求1所述的傳感器(10),
其特征在于
所述至少一第一絕緣層(14)和/或所述至少第二絕緣層(60)的厚度(d)是0.1μm-50μm。
5.根據權利要求1所述的傳感器(10),
其特征在于
所述至少一第一絕緣層(14)和/或所述至少第二絕緣層(60)由選自以下各者組成的群組的材料形成:氧化鋁(Al2O3)或二氧化硅(SiO2)或氧化鎂(MgO)或氮化硅(Si2N4)或陶瓷或玻璃或金屬氧化物或其任何所需組合。
6.根據權利要求1所述的傳感器(10),
其特征在于
所述第一電極層(12)和/或所述第二電極層(13)和/或所述至少第三電極層(50)是由耐高溫金屬或耐高溫合金形成。
7.根據權利要求1所述的傳感器(10),
其特征在于
所述第二電極層(13)是由具有比所述第一電極層(12)和/或所述至少第三電極層(50)的金屬或合金高的抗蝕刻性更高的金屬或合金形成。
8.根據權利要求1所述的傳感器(10),
其特征在于
至少一個覆蓋層(21)形成于所述第一電極層(12)的背離所述第一絕緣層(14)的一側(20)上、并橫向圍封所述第一電極層(12),所述至少一個覆蓋層(21)為擴散屏障層,所述至少一個覆蓋層(21)是由陶瓷和/或玻璃和/或金屬氧化物或其任何組合形成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于賀利氏耐克森索斯有限責任公司,未經賀利氏耐克森索斯有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201580076848.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





