[發(fā)明專利]電子裝置的光刻圖案化

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580076711.X
• 申請日: 2015-12-23
• 公開（公告）號: CN107251190B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 道格拉斯·羅伯特·羅貝洛;特倫斯·羅伯特·歐圖爾;弗蘭克·沙維爾·伯恩;黛安娜·卡羅爾·弗里曼
• 申請（專利權(quán)）人: 正交公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L51/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;顧晉偉

1.一種將裝置圖案化的方法，包括以下步驟：

在裝置基底上形成氟化光聚合物層，所述氟化光聚合物層包含輻射吸收染料和具有酸或醇形成前體基團的氟化光聚合物；

使所述光聚合物層暴露于圖案化輻射以根據(jù)所述圖案化輻射形成具有曝光區(qū)域和未曝光區(qū)域的曝光光聚合物層；以及

使所述曝光光聚合物層與顯影劑接觸以去除所述未曝光區(qū)域，從而形成顯影結(jié)構(gòu)，所述顯影結(jié)構(gòu)具有覆蓋所述裝置基底的光聚合物的第一圖案和對應(yīng)于所去除的未曝光區(qū)域的露出的基底的互補第二圖案，所述顯影劑包含第一氟化溶劑，

其中

所述輻射在曝光波長λ_exp下提供以mJ/cm²計的總曝光劑量EXP，

所述光聚合物層具有以μm計的厚度T_f、在λ_exp下的以吸光度/μm計的吸收系數(shù)α和在用于曝光和與所述顯影劑接觸的條件下的以mJ/cm²計的速度點SP，

加工因子P為0.1至0.95，其中P＝[log(EXP/SP)]/(α*T_f)，以及

在λ_exp下的α為至少0.3吸光度單位/μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述輻射吸收染料與所述氟化光聚合物共價連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氟化光聚合物為包含以下的共聚物：具有含氟基團的第一重復(fù)單元、具有改變?nèi)芙舛鹊姆磻?yīng)性基團的第二重復(fù)單元和具有輻射吸收染料的第三重復(fù)單元。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氟化光聚合物的含氟量為至少10重量％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中P為0.6至0.92。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光聚合物層的最大對比度大于5。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中T_f為至少1.5μm。

8.一種氟化光聚合物組合物，包含：

氟化溶劑；

輻射吸收染料；和

氟化光聚合物，其含氟量為至少10重量％，包含一個或更多個酸或醇形成前體基團，還包含與所述氟化光聚合物連接的酸清除化合物；

其中

當(dāng)在365nm、405nm或436nm下進(jìn)行測量時，由所述組合物形成的膜在去除所述氟化溶劑后的吸收系數(shù)為至少0.3吸光度單位/μm膜厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組合物，其中所述氟化光聚合物的含氟量為30重量％至60重量％。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組合物，其中所述輻射吸收染料與所述氟化光聚合物共價連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組合物，其中所述氟化光聚合物還包含支化單元。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組合物，還包含光致酸產(chǎn)生劑化合物。