[發明專利]熱蒸發器

有效

• 申請號: 201580076669.1
• 申請日: 2015-03-11
• 公開（公告）號: CN107250422B
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發明（設計）人: B·麥克拉迪;A·馬蒂厄;C·馬克蘇德;T·L·雅各布斯
• 申請（專利權）人: 依視路國際公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張振軍;劉娜

1.一種真空沉積方法，包括以下步驟：

從布置在真空沉積室中的第一蒸發源蒸發第一成膜材料；

將該蒸發的第一成膜材料沉積在位于該第一蒸發源上方的基材上以在該基材上形成減反射涂層的至少一部分，

從布置在該真空沉積室中的第二蒸發源蒸發第二成膜材料；并且

將該蒸發的第二成膜材料沉積在位于該第二蒸發源上方的基材上以在該基材上形成疏水性涂層，

其中該第一蒸發源距該基材第一豎直距離，該第二蒸發源距該基材第二豎直距離，并且其中該第二豎直距離小于該第一豎直距離的75％。

2.如權利要求1所述的真空沉積方法，其中該第二豎直距離小于該第一豎直距離的60％。

3.如權利要求1或2所述的真空沉積方法，其中該第二蒸發源不與在該第一蒸發源與該基材之間的蒸氣路徑相交。

4.如權利要求1或2所述的真空沉積方法，其中該基材被布置在可旋轉的基材固持器中，其中旋轉軸線垂直于該真空室的底板。

5.如權利要求4所述的真空沉積方法，其中該第二蒸發源比該基材固持器的旋轉軸線更接近該真空室的外壁。

6.如權利要求1所述的真空沉積方法，其中該第二蒸發源包括電聯接到兩個至少20cm長度的導電桿上的坩堝，其中每個桿具有第一端和第二端，并且其中這兩個導電桿的至少一部分相對于該真空室的底板向上延伸，該坩堝被電聯接到每個導電桿的第一端處，該第一端比該第二端更靠近該基材。

7.如權利要求6所述的真空沉積方法，其中這兩個導電桿具有在20cm至70cm之間的長度。

8.如權利要求6所述的真空沉積方法，其中該坩堝包括鉬、鉭、鎢、銅和鋼中的一種或多種。

9.如權利要求1或2所述的真空沉積方法，其中該疏水性涂層包括氟聚合物。

10.如權利要求1或2所述的真空沉積方法，其中涂覆的基材具有至少110°的初始水接觸角。

11.如權利要求1或2所述的真空沉積方法，其中涂覆的基材具有至少115°的初始水接觸角。

12.如權利要求1或2所述的真空沉積方法，其中該第一蒸發源與第二蒸發源的最內部分豎直地間隔開第三豎直距離(h)并且水平地間隔開水平距離(l)，使得該第三豎直距離小于l*tanθ，其中θ是在室底板與線p之間形成的最小角，該線p在該第一蒸發源與被布置在該基材固持器中的最外基材的外周之間延伸并且在與該第二蒸發源的至少一部分相交的豎直平面上延伸。