[發明專利]用于封裝半導體裝置的組成物及使用其封裝的半導體裝置

有效

• 申請號: 201580076601.3
• 申請日: 2015-07-16
• 公開（公告）號: CN107250235B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 裵慶徹;李東桓
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: C09D163/00
• 分類號: C09D163/00;H01L23/29;C08K3/36;C08L63/00;C08K3/34;C08K3/22
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 陶敏;臧建明

1.一種用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物，其特征在于，包括：環氧樹脂、固化劑以及無機填充劑，其中所述無機填充劑包括含有硅及鋁的納米材料以及氧化鋁粒子的混合物，以所述無機填充劑的總重量計，所述氧化鋁粒子的混合物以40重量％至99.99重量％的量存在，所述氧化鋁粒子具有0.1微米至50微米的平均粒徑，所述納米材料包括納米線、納米棒、納米管以及納米帶中的至少一者，所述納米材料具有5平方米/克至100平方米/克的比表面積，所述納米管具有1納米至300納米的內徑、20納米至310納米的外徑以及0.1微米至20微米的長度，所述環氧樹脂按0.1重量％至15重量％的量存在于用于封裝半導體裝置的所述環氧樹脂組成物中，所述固化劑按0.1重量％至13重量％的量存在于用于封裝半導體裝置的所述環氧樹脂組成物中。

2.根據權利要求1所述的用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述納米材料具有10納米至500納米的平均粒徑。

3.根據權利要求1所述的用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述納米材料中的硅與鋁的摩爾比在0.1:1至5:1的范圍內。

4.根據權利要求1所述的用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述納米材料由式8表示：

[式8]

Al₂O₃·(SiO₂)_x·y(H₂O)

在式8中，x在0.5至5的范圍內，且y在1至10的范圍內。

5.根據權利要求1所述的用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述納米材料具有5W/mK至30W/mK的熱導率。

6.根據權利要求1所述的用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述納米材料具有7至9的pH值。

7.根據權利要求1所述的用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述納米材料是由二氧化硅及氧化鋁形成。

8.根據權利要求7所述的用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述納米材料中的二氧化硅與氧化鋁的摩爾比在0.5:1至5:1的范圍內。

9.根據權利要求1所述的用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述納米材料具有以下結構：其中一或多個二氧化硅層及一或多個氧化鋁層堆疊于彼此之上。

10.根據權利要求1所述的用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中就固體含量而言，所述納米材料以0.01重量％至40重量％的量存在于所述環氧樹脂組成物中。

11.根據權利要求1所述的用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中所述無機填充劑包括以下各者中的至少一者：具有大于或等于0.1微米且小于或等于4微米的平均粒徑的氧化鋁；具有大于4微米且小于或等于10微米的平均粒徑的氧化鋁；以及具有大于10微米且小于或等于30微米的平均粒徑的氧化鋁。

12.根據權利要求1所述的用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物，還包括：固化促進劑、偶合劑以及著色劑中的至少一者。

13.根據權利要求1所述的用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物，其中在25℃下對熱導率的標本進行量測，所述環氧樹脂組成物具有3W/mK至10W/mK的熱導率，所述標本是通過在以下條件下使用轉移模制機將所述環氧樹脂組成物射出模制而制備：175℃的模具溫度、9MPa的注入負載，以及120秒的固化時間。

14.一種半導體裝置，其特征在于，其使用根據權利要求1至13中任一項所述的用于封裝半導體裝置的環氧樹脂組成物來封裝。