[發明專利]對生長外延晶片的反應器的重操作進行準備的方法

在審

• 申請號: 201580076593.2
• 申請日: 2015-12-23
• 公開（公告）號: CN107636816A
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發明（設計）人: 趙萬起;姜東昊
• 申請（專利權）人: LG矽得榮株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司11270
• 代理人: 姚開麗,王琳

1.一種作為反應室的重操作準備過程而用于對外延生長裝置的重操作進行準備的方法，其中，在所述反應室中在晶片上進行外延生長，所述方法包括：

將基座置于預設的第一位置，其中在所述反應室內提供所述基座并且所述晶片被放置于所述基座上，并設置通過主閥引入氫氣的流量以使得比通過狹縫閥引入氫氣的流量大；以及

將所述基座移動到預設的第二位置，在所述基座保持在所述第二位置的同時，設置通過所述主閥引入的氫氣量以使得所引入的氫氣量比通過所述狹縫閥引入的氫氣量小。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述第一位置設置為與所述基座外圓周上放置的預熱環具有相同的高度。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述第二位置設置為低于所述第一位置。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述反應室內執行烘烤的過程中，所述基座在所述第一位置和所述第二位置之間周期性移動。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，當所述基座在所述第一位置和所述第二位置之間移動時，通過所述主閥和所述狹縫閥中的每個引入的氫氣的流量發生改變。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，當所述基座置于所述第一位置時，通過所述主閥引入的氫氣的流量是約90slm，而通過所述狹縫閥引入的氫氣的流量是約20slm。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，當所述基座置于所述第二位置時，通過所述主閥引入的氫氣的流量是約5slm至約20slm，而通過所述狹縫閥引入的氫氣的流量是約30slm。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述反應室內執行烘烤的過程中，所述反應室的內部保持在均勻溫度的階段和所述反應室的內部變化到預定溫度的階段是反復的。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，在所述反應室內執行烘烤的過程中，所述反應室的內部溫度升高并最長保持300秒的過程和所述反應室的內部溫度變化最長60秒的過程是反復執行的。

10.一種作為反應室的重操作準備過程而對外延生長裝置的重操作進行準備的方法，其中，在所述反應室中在晶片上進行外延生長，所述方法包括：

將氮氣注入具有室溫的所述室中，持續約三小時，以清理所述反應室中的雜質顆粒；

將所述反應室的內部升高到預定溫度；

在溫度升高后的所述反應室在預定時間內保持高溫的同時使用氫氣執行烘烤過程；

確認所述反應室中是否存在摻雜物；以及

去除所述反應室中殘留的金屬污染源，

其中，在所述反應室內執行所述烘烤過程時，基座周期性下降預定距離到執行外延過程的位置，而且當所述基座下降時，設置通過主閥引入的氣體的流量使得該氣體的流量小于通過狹縫閥引入的氣體的流量。