[發明專利]同步加速器用入射器系統及漂移管直線加速器的運轉方法

有效

• 申請號: 201580076520.3
• 申請日: 2015-07-10
• 公開（公告）號: CN107251658B
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: 山本和男;川崎定博;井上博光
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H05H13/04
• 分類號: H05H13/04;A61N5/10;H05H7/08;H05H7/22;H05H9/00;H05H9/04
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 熊風

1.一種同步加速器用入射器系統，是將入射至同步加速器的離子射出的同步加速器用入射器系統，其特征在于，包括：

第一離子源，該第一離子源產生第一離子；

第二離子源，該第二離子源產生比所述第一離子的荷質比q1/A1小的荷質比q2/A2的第二離子；

漂移管直線加速器，該漂移管直線加速器包括圓筒諧振器、以及以直線狀排列于該圓筒諧振器的圓筒軸向的多個漂移管，在通過這些多個漂移管形成的多個漂移管間隙中產生的高頻電場成為加速相位的高頻的半周期即加速半周期期間對離子進行加速；

高頻發生器，該高頻發生器向所述漂移管直線加速器提供高頻功率；以及

低能射束傳輸路徑，該低能射束傳輸路徑使所述第一離子和所述第二離子中的任一種離子入射至所述漂移管直線加速器，

所述高頻發生器在所述低能射束傳輸路徑使所述第一離子入射的情況下，向所述漂移管直線加速器提供高頻功率，使得在所述多個漂移管間隙中的一個漂移管間隙中使所述第一離子加速的加速半周期、與被加速的該第一離子到達所述一個漂移管間隙的相鄰的漂移管間隙而被加速的加速半周期的相位差成為第一加速周期差，該高頻發生器在所述低能射束傳輸路徑使所述第二離子入射的情況下，向所述漂移管直線加速器提供高頻功率，使得在所述一個漂移管間隙中使所述第二離子加速的加速半周期、與被加速的該第二離子到達所述一個漂移管間隙的相鄰的漂移管間隙而被加速的加速半周期的相位差即第二加速周期差大于所述第一加速周期差。

2.如權利要求1所述的同步加速器用入射器系統，其特征在于，

所述漂移管直線加速器是APF-IH型漂移管直線加速器，所述第一加速周期差是0.5周期，所述第二加速周期差是(0.5+n)周期，n為正整數。

3.如權利要求2所述的同步加速器用入射器系統，其特征在于，

在所述漂移管中包括利用磁場的集束設備。

4.如權利要求1所述的同步加速器用入射器系統，其特征在于，

所述漂移管直線加速器是阿爾瓦雷斯型漂移管直線加速器，所述第一加速周期差是1周期，所述第二加速周期差是(1+n)周期，n為正整數。

5.如權利要求1至4中任一項所述的同步加速器用入射器系統，其特征在于，

在所述漂移管設有向所述漂移管間隙突出的電極，在所述漂移管間隙形成有四極電場。

6.如權利要求1至4中任一項所述的同步加速器用入射器系統，其特征在于，

所述第一離子是質子，所述第二離子是四價碳離子。

7.一種漂移管直線加速器的運轉方法，該漂移管直線加速器包括圓筒諧振器、以及以直線狀排列于該圓筒諧振器的圓筒軸向上的多個漂移管，在通過這些多個漂移管形成的多個漂移管間隙中產生的高頻電場成為加速相位的高頻的半周期即加速半周期期間，對第一離子、或比所述第一離子的荷質比q1/A1小的荷質比q2/A2的第二離子中的任一種離子進行加速，該漂移管直線加速器的運轉方法的特征在于，

以如下方式進行運轉：在對所述第一離子加速的情況下，向所述漂移管直線加速器提供高頻功率，使得在所述多個漂移管間隙中的一個漂移管間隙中使所述第一離子加速的加速半周期、與被加速的該第一離子到達所述一個漂移管間隙的相鄰的漂移管間隙而被加速的加速半周期的相位差成為第一加速周期差，

在對所述第二離子加速的情況下，向所述漂移管直線加速器提供高頻功率，使得在所述一個漂移管間隙中使所述第二離子加速的加速半周期、與被加速的該第二離子到達所述一個漂移管間隙的相鄰的漂移管間隙而被加速的加速半周期的相位差即第二加速周期差大于所述第一加速周期差。

8.如權利要求7所述的漂移管直線加速器的運轉方法，其特征在于，

所述漂移管直線加速器是APF-IH型漂移管直線加速器，以所述第一加速周期差是0.5周期，所述第二加速周期差是(0.5+n)周期的方式運轉，n為正整數。