[發(fā)明專利]利用變化的電壓刺激的基于納米孔的測序

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580076492.5
• 申請日: 2015-11-01
• 公開（公告）號: CN107533030B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R.J.A.陳;H.田;B.梅尼
• 申請（專利權(quán)）人: 豪夫邁·羅氏有限公司
• 主分類號: G01N27/447
• 分類號: G01N27/447
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 黃濤;張濤

1.一種分析與納米孔相互作用的分子的方法，其中所述納米孔被插入在隔膜中，所述方法包括：

通過將所述納米孔耦合到電壓源來跨插入在隔膜中的納米孔施加電壓；

將所述納米孔與所述電壓源解耦和；以及

在解耦和之后，確定跨所述納米孔的電壓的衰減的速率以識別納米孔的不同狀態(tài)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

基于所確定的跨納米孔的電壓的衰減的速率區(qū)分納米孔中的分子與其它可能的分子。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在解耦和之后跨納米孔的電壓的衰減的速率由RC時間常數(shù)表征，所述RC時間常數(shù)對應(yīng)于與隔膜關(guān)聯(lián)的電容和與納米孔關(guān)聯(lián)的電阻。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中與納米孔關(guān)聯(lián)的電阻基于納米孔中分子的化學(xué)結(jié)構(gòu)而變化。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電壓的衰減的速率對應(yīng)于與隔膜關(guān)聯(lián)的電容的放電。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中確定跨納米孔的電壓的衰減的速率包括確定在預(yù)定時間間隔內(nèi)跨納米孔的電壓衰減。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中確定在時間間隔內(nèi)跨納米孔的電壓衰減包括：

測量第一電壓；

等待跨納米孔的電壓已衰減的所選擇的時間，并且測量第二電壓。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中確定跨納米孔的電壓的衰減的速率包括確定用于跨納米孔的電壓衰減預(yù)定值的時間段。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中基于所確定的跨納米孔的電壓的衰減的速率可區(qū)分的分子包括附接有A標記的聚磷酸鹽、附接有T或U標記的聚磷酸鹽、附接有G標記的聚磷酸鹽以及附接有C標記的聚磷酸鹽。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：基于所確定的跨納米孔的電壓的衰減的速率檢測納米孔的開路通道狀態(tài)。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：基于所確定的跨納米孔的電壓的衰減的速率檢測隔膜破裂。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電壓源隨時間提供正電壓和負電壓。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分子的一部分位于納米孔內(nèi)。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分子耦合到與所述納米孔相互作用的另一分子。

15.一種分析與納米孔相互作用的分子的方法，其中所述納米孔被插入在隔膜中，所述方法包括：

將能量存儲在跨隔膜的電場中，其中納米孔被插入在所述隔膜中；

耗散存儲在跨所述隔膜的所述電場中的能量；以及

確定跨所述隔膜的能量的耗散的速率以識別納米孔的不同狀態(tài)。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括：

基于所確定的跨隔膜的能量的耗散的速率區(qū)分納米孔中的分子與其它可能的分子。

17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中跨隔膜的能量的耗散的速率由RC時間常數(shù)表征，所述RC時間常數(shù)對應(yīng)于與隔膜關(guān)聯(lián)的電容和與納米孔關(guān)聯(lián)的電阻。

18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中與納米孔關(guān)聯(lián)的電阻基于納米孔中分子的化學(xué)結(jié)構(gòu)而變化。

19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中跨隔膜的能量的耗散的速率對應(yīng)于與隔膜關(guān)聯(lián)的電容的放電。