[發明專利]用于減少非輻射側壁復合的LED結構有效
| 申請號： | 201580076368.9 | 申請日： | 2015-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN107408603B | 公開（公告）日： | 2020-04-14 |
| 發明（設計）人： | D·P·布爾;K·麥格羅迪;D·A·黑格爾;J·M·珀金斯;A·查克拉博蒂;J-J·P·德羅萊特 | 申請（專利權）人： | 蘋果公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/44;H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華;呂世磊 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 減少 輻射 側壁 復合 led 結構 | ||
1.一種發光二極管(LED)，包括：
p-n二極管層，所述p-n二極管層包括：
頂部摻雜層，摻雜有第一摻雜物類型；
底部摻雜層，摻雜有與所述第一摻雜物類型相反的第二摻雜物類型；
位于所述頂部摻雜層和所述底部摻雜層之間的有源層；和
跨所述頂部摻雜層、所述有源層和所述底部摻雜層的p-n二極管層側壁；和
半導體鈍化層，跨所述頂部摻雜層、所述有源層和所述底部摻雜層而形成在所述p-n二極管層側壁上，其中所述半導體鈍化層在所述底部摻雜層下延伸，
其中所述半導體鈍化層是p摻雜的，所述頂部摻雜層是n摻雜的，并且所述底部摻雜層是p摻雜的。
2.根據權利要求1所述的發光二極管，還包括形成在所述鈍化層之上和之下的導電觸點。
3.根據權利要求2所述的發光二極管，其中形成在所述鈍化層之下的所述導電觸點包括多層疊層。
4.根據權利要求3所述的發光二極管，其中所述多層疊層包括電極層和擴散阻擋層。
5.根據權利要求1所述的發光二極管，其中所述半導體鈍化層未到達所述p-n二極管層的頂表面。
6.根據權利要求1所述的發光二極管，其中所述p-n二極管層被設計用于發射紅光。
7.根據權利要求6所述的發光二極管，其中所述p-n二極管層由磷基材料形成。
8.根據權利要求6所述的發光二極管，其中所述半導體鈍化層包括AlInP。
9.根據權利要求8所述的發光二極管，其中所述AlInP是p摻雜的，并且所述頂部摻雜層是n摻雜的。
10.根據權利要求6所述的發光二極管，其中所述半導體鈍化層包括GaN。
11.根據權利要求10所述的發光二極管，其中所述GaN是p摻雜的，并且所述頂部摻雜層是n摻雜的。
12.根據權利要求1所述的發光二極管，其中所述有源層包括多個量子阱層。
13.根據權利要求12所述的發光二極管，其中所述多個量子阱層包括AlGaInP。
14.根據權利要求1所述的發光二極管，其中所述半導體鈍化層由與所述p-n二極管層側壁的晶格結構匹配的晶格結構來表征。
15.根據權利要求14所述的發光二極管，還包括形成在所述鈍化層之上和之下的導電觸點。
16.根據權利要求14所述的發光二極管，其中所述半導體鈍化層未到達所述p-n二極管層的頂表面。
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