[發(fā)明專利]具有多頻天線的RFID裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580076156.0
• 申請日: 2015-12-18
• 公開（公告）號: CN107408219B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: I·J·福斯特
• 申請（專利權(quán)）人: 艾利丹尼森零售信息服務(wù)公司
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077;H01Q1/22;H01Q9/28;H01Q21/30
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙志剛;趙蓉民

1.一種RFID裝置，包括：

導(dǎo)電片，所述導(dǎo)電片限定第一部分和第二部分，具有連接所述第一部分和所述第二部分的中間部分；

雙輸入RFID芯片，其被配置成接收高頻輸入和超高頻輸入；

第一連接件，其使所述導(dǎo)電片的所述第一部分與所述RFID芯片電耦合；

第二連接件，其使所述導(dǎo)電片的所述第二部分與所述RFID芯片電耦合；以及

第三連接件，其使所述導(dǎo)電片的所述中間部分與所述RFID芯片電耦合，其中

所述導(dǎo)電片的所述第一部分限定在所述導(dǎo)電片中具有一個或更多個中斷的多匝高頻天線，所述一個或更多個中斷定位在所述多匝高頻天線的相鄰匝之間和/或限定所述多匝高頻天線的相鄰匝，

所述導(dǎo)電片的所述第二部分限定超高頻天線的第一輻射臂，以及

所述導(dǎo)電片的所述第一部分中的所述一個或更多個中斷包含所述導(dǎo)電片中的一個或更多個開口并且被配置成將在所述一個或更多個中斷的位置處的所述導(dǎo)電片的導(dǎo)電性降低到足夠低的水平，使得圍繞所述多匝高頻天線的匝引導(dǎo)高頻電流，而不是穿過所述一個或更多個中斷，并且允許超高頻電流流過所述一個或更多個中斷，從而導(dǎo)致所述導(dǎo)電片的所述第一部分限定所述超高頻天線的第二輻射臂。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID裝置，其中至少所述導(dǎo)電片的所述第一部分中的所述一個或更多個中斷的一個區(qū)段在由所述導(dǎo)電片限定的平面中限定大致正弦曲線的局部圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID裝置，其中所述導(dǎo)電片的所述第一部分中的所述一個或更多個中斷包含所述導(dǎo)電片的一個或更多個薄化的區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的RFID裝置，其中至少所述導(dǎo)電片的所述第一部分中的所述一個或更多個中斷的一個區(qū)段在由所述導(dǎo)電片限定的平面中限定大致正弦曲線的局部圖案。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID裝置，其中所述導(dǎo)電片的所述第一部分中的所述一個或更多個中斷包含應(yīng)用至所述導(dǎo)電片以減小所述導(dǎo)電片在所述一個或更多個中斷的一個或更多個位置處的導(dǎo)電性的一個或更多個附加材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的RFID裝置，其中至少所述導(dǎo)電片的所述第一部分中的所述一個或更多個中斷的一個區(qū)段在由所述導(dǎo)電片限定的平面中限定大致正弦曲線的局部圖案。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID裝置，其中所述連接件中的至少一個包含經(jīng)由導(dǎo)電粘合劑的導(dǎo)電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID裝置，其中所述連接件中的至少一個包含焊接點。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID裝置，其中所述連接件中的至少一個包含具有非導(dǎo)電粘合劑的電容連接。

10.一種RFID裝置，包括：

導(dǎo)電片，所述導(dǎo)電片限定第一部分和第二部分，具有連接所述第一部分和所述第二部分的中間部分；

高頻輸入RFID芯片；

超高頻輸入RFID芯片；

第一連接件，其使所述導(dǎo)電片的所述第一部分與所述高頻輸入RFID芯片電耦合；

第二連接件，其使所述導(dǎo)電片的所述第二部分與所述超高頻輸入RFID芯片電耦合；以及

第三連接件，其使所述導(dǎo)電片的所述中間部分與所述高頻輸入RFID芯片和所述超高頻輸入RFID芯片電耦合，其中

所述導(dǎo)電片的所述第一部分限定在所述導(dǎo)電片中具有一個或更多個中斷的多匝高頻天線，所述一個或更多個中斷定位在所述多匝高頻天線的相鄰匝之間和/或限定所述多匝高頻天線的相鄰匝，

所述導(dǎo)電片的所述第二部分限定超高頻天線的第一輻射臂，以及

所述導(dǎo)電片的所述第一部分中的一個或更多個中斷包含所述導(dǎo)電片中的一個或更多個開口并且被配置成將在所述一個或更多個中斷位置處的所述導(dǎo)電片的導(dǎo)電性降低到足夠低的水平，使得圍繞所述多匝高頻天線的匝引導(dǎo)高頻電流，而不是穿過所述一個或更多個中斷，并且允許超高頻電流流過所述一個或更多個中斷，從而導(dǎo)致所述導(dǎo)電片的所述第一部分限定所述超高頻天線的第二輻射臂。