[發明專利]半導體電極層形成用分散液和半導體電極層

在審

• 申請號: 201580075940.X
• 申請日: 2015-12-17
• 公開（公告）號: CN107251180A
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發明（設計）人: 清水澄代;春山泰三
• 申請（專利權）人: 御國色素株式會社
• 主分類號: H01G9/20
• 分類號: H01G9/20
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 李照明,段承恩

1.一種半導體電極層形成用漿液，其特征在于，是由一次粒徑不同的兩種以上金屬氧化物半導體微粒分散在液體介質中而成的漿液，一次粒徑中一種的眾數粒徑為1～50nm，另一種的眾數粒徑為1～13nm，并且液中的金屬氧化物半導體微粒的分散粒徑為1～200nm。

2.一種半導體電極層形成用漿液，其特征在于，是由一次粒徑不同的兩種以上金屬氧化物半導體微粒分散在液體介質中而成的漿液，一次粒徑中一種的眾數粒徑為1～50nm，另一種的眾數粒徑為1～13nm，并且所述漿液含有高分子分散劑。

3.如權利要求2所述的半導體電極層形成用漿液，其特征在于，高分子分散劑是丙烯酸系共聚物、丁醛樹脂、乙酸乙烯基酯共聚物、含羥基羧酸酯、高分子量多元羧酸的鹽、烷基多元胺系、多元醇酯系中的任1種以上。

4.如權利要求1～3任一項所述的半導體電極層形成用漿液，金屬氧化物半導體微粒是氧化鈦、氧化鋅、氧化鈮、氧化鎢、鈦酸鍶中的1種以上。

5.如權利要求1～4任一項所述的半導體電極層形成用漿液，眾數粒徑為1～50nm的金屬氧化物半導體微粒與眾數粒徑為1～13nm的金屬氧化物半導體微粒的混合比率按照重量比計為100/1～23。

6.一種半導體電極層的制造方法，其特征在于，將權利要求1～5任一項所述的半導體電極層形成用漿液涂布在基板上并燒成。

7.一種半導體電極層，是通過將權利要求1～5任一項所述的半導體電極層形成用漿液涂布在基板上并燒成而得到的。

8.如權利要求7所述的半導體電極層，金屬氧化物半導體微粒為氧化鈦、氧化鋅、氧化鈮、氧化鎢、鈦酸鍶中的1種以上。

9.如權利要求7或8所述的半導體電極層，眾數粒徑為1～50nm的金屬氧化物半導體微粒與眾數粒徑為1～13nm的金屬氧化物半導體微粒的混合比率按照重量比計為100/1～23。

10.一種半導體電極層，其特征在于，含有一次粒徑不同的2種以上金屬氧化物半導體微粒，膜厚為3μm～20μm，實質上不具有裂紋，轉換效率為8.0以上。

11.一種太陽能電池，具有權利要求7～10任一項所述的半導體電極層作為電極。