[發(fā)明專利]熱處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580075686.3
• 申請日: 2015-11-18
• 公開（公告）號: CN107251197B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 布施和彥
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22;H01L21/225;H01L21/265
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇;崔炳哲

1.一種熱處理方法，其特征在于，包括：

步驟(a)，準(zhǔn)備在一個主面上形成有包含摻雜劑的單分子層薄膜及多分子層薄膜中的至少一方薄膜的基板；

步驟(b)，將在所述步驟(a)準(zhǔn)備的所述基板配置于腔室內(nèi)；

步驟(c)，用連續(xù)地照射光的第一燈向在所述步驟(b)配置于所述腔室內(nèi)的所述基板照射光，來實施保持在溫度高于加熱之前的溫度的第一溫度區(qū)域的預(yù)備熱處理，從而將包含于所述薄膜的所述摻雜劑從該薄膜導(dǎo)入所述基板的表層；以及，

步驟(d)，用第二燈向在所述步驟(c)實施了預(yù)備熱處理且配置于所述腔室內(nèi)的所述基板照射閃光，來將所述基板從所述第一溫度區(qū)域加熱到溫度高于該第一溫度區(qū)域的第二溫度區(qū)域，從而對在所述步驟(c)導(dǎo)入所述基板的表層的所述摻雜劑進行活化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，

在所述步驟(c)，用所述第一燈向配置于所述腔室內(nèi)的所述基板照射光，來實施所述第一溫度區(qū)域中的高溫側(cè)的高溫度區(qū)域的第一熱處理，并且在實施該第一熱處理之后，實施所述第一溫度區(qū)域中的與所述高溫度區(qū)域相比更靠低溫側(cè)的低溫度區(qū)域的第二熱處理；

在所述步驟(d)，用所述第二燈向在所述步驟(c)實施了所述第二熱處理且配置于所述腔室內(nèi)的所述基板照射所述閃光，來將所述基板從所述低溫度區(qū)域加熱到所述第二溫度區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理方法，其特征在于，

在所述步驟(d)中，所述第二燈向所述基板照射所述閃光的照射時間為0.1毫秒至100毫秒。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理方法，其特征在于，

在所述步驟(a)中，作為所述基板，準(zhǔn)備在一個主面上直接形成有所述薄膜的半導(dǎo)體基板。