[發明專利]晶體圖案形成方法、壓電膜制造方法、壓電元件制造方法及液體排放頭制造方法

有效

• 申請號: 201580075603.0
• 申請日: 2015-12-15
• 公開（公告）號: CN107251254B
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 陳顯鋒
• 申請（專利權）人: 株式會社理光
• 主分類號: H01L41/43
• 分類號: H01L41/43;B41J2/14;B41J2/16;H01L21/316;H01L41/09;H01L41/113;H01L41/187
• 代理公司: 31300 上海華誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 肖華

1.一種晶體圖案形成方法，其特征在于，所述方法包含：

電磁波吸收層形成處理，所述電磁波吸收層形成處理用于在基板的一個表面上形成電磁波吸收層；

非晶形膜形成處理，所述非晶形膜形成處理用于在所述電磁波吸收層上形成非晶形膜；

遮罩形成處理，所述遮罩形成處理用于在所述基板的另一個表面上形成用于阻擋電磁波的電磁波阻擋遮罩；以及

結晶處理，所述結晶處理用于使所述基板從所述基板的所述另一個表面、穿過所述電磁波阻擋遮罩被所述電磁波照射，以使所述非晶形膜中的給定區域結晶，

其中，在所述遮罩形成處理中，通過選擇性地去除所述基板的所述另一個表面以形成凹槽結構，凹槽結構被形成在所述基板的所述另一個表面上。

2.一種壓電膜制造方法，其特征在于，所述壓電膜制造方法使用權利要求1所述的晶體圖案形成方法，

其中，在所述非晶形膜形成處理中，非晶形復合氧化物膜被形成在所述電磁波吸收層上，以及

其中，在所述結晶處理中，通過使所述非晶形復合氧化物膜的給定區域結晶，形成包括復合氧化物晶體膜的壓電膜。

3.根據權利要求2所述的壓電膜制造方法，其特征在于，在所述結晶處理中，所述非晶形復合氧化物膜的所述給定區域被改變為ABO₃鈣鈦礦類型的晶體膜。

4.根據權利要求3所述的壓電膜制造方法，其特征在于，在所述結晶處理中，在所述ABO₃鈣鈦礦類型的晶體膜的所述給定區域中，晶粒的顆粒尺寸被增大。

5.一種壓電元件制造方法，其特征在于，所述壓電元件制造方法使用權利要求2至權利要求4中的任何一個的所述壓電膜制造方法；

所述壓電元件制造方法包含在所述結晶處理之后，在所述復合氧化物晶體膜上形成上部電極的處理。

6.一種液體排放頭制造方法，其特征在于，所述液體排放頭制造方法用于使用由權利要求5的所述壓電元件制造方法制造的壓電元件來制造液體排放頭。

7.一種晶體圖案形成方法，其特征在于，所述方法包含：

非晶形膜形成處理，所述非晶形膜形成處理用于在由金屬制成的基板的一個表面上形成非晶形膜；

遮罩形成處理，所述遮罩形成處理用于在所述基板的另一個表面上形成用于阻擋電磁波的電磁波阻擋遮罩；以及

結晶處理，所述結晶處理用于使所述基板從所述基板的所述另一個表面、穿過所述電磁波阻擋遮罩被所述電磁波照射，以使所述非晶形膜中的給定區域結晶。

8.根據權利要求7所述的晶體圖案形成方法，其特征在于，所述金屬基板的熔點高于所述非晶形膜的結晶溫度。