[發(fā)明專(zhuān)利]晶體管、保護(hù)電路和晶體管的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580075444.4
• 申請(qǐng)日: 2015-12-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107210301B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 深作克彥;巽孝明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 索尼半導(dǎo)體解決方案公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/06;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/088;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 姚鵬;曹正建

1.一種晶體管，其包括：

源極；

漏極；

柵極絕緣膜，其布置在所述源極與所述漏極之間；

柵極，其布置在所述柵極絕緣膜的表面上，并且具有功函數(shù)不同的多個(gè)區(qū)域；以及

布置在所述源極與所述柵極絕緣膜之間的第一輕摻雜漏極以及布置在所述漏極與所述柵極絕緣膜之間的第二輕摻雜漏極，其中，功函數(shù)不同的所述多個(gè)區(qū)域之中的兩個(gè)區(qū)域之間的定位基于所述第二輕摻雜漏極的位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，所述多個(gè)區(qū)域包括兩個(gè)區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體管，其中，

所述兩個(gè)區(qū)域中的一者是布置在所述漏極側(cè)的N型半導(dǎo)體區(qū)域，

所述述兩個(gè)區(qū)域中的另一者是布置在所述源極側(cè)的P型半導(dǎo)體區(qū)域，并且

所述漏極和所述源極由N型半導(dǎo)體形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體管，其中，

所述兩個(gè)區(qū)域中的一者是布置在所述源極側(cè)的N型半導(dǎo)體區(qū)域，

所述述兩個(gè)區(qū)域中的另一者是布置在所述漏極側(cè)的P型半導(dǎo)體區(qū)域，并且

所述漏極和所述源極由P型半導(dǎo)體形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，所述多個(gè)區(qū)域包括：漏極側(cè)區(qū)域，其布置在所述漏極側(cè)；源極側(cè)區(qū)域，其布置在所述源極側(cè)；以及中間區(qū)域，其布置在所述漏極側(cè)區(qū)域與所述源極側(cè)區(qū)域之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體管，其中，

所述漏極側(cè)區(qū)域和所述源極側(cè)區(qū)域以及所述源極和所述漏極由N型半導(dǎo)體形成，并且

所述中間區(qū)域由P型半導(dǎo)體形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體管，其中，

所述漏極側(cè)區(qū)域和所述源極側(cè)區(qū)域以及所述源極和所述漏極由P型半導(dǎo)體形成，并且

所述中間區(qū)域由N型半導(dǎo)體形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的晶體管，其中，所述漏極側(cè)區(qū)域和所述源極側(cè)區(qū)域具有不同的面積。

9.根據(jù)權(quán)利要求1、2和5中任一項(xiàng)所述的晶體管，其中，所述多個(gè)區(qū)域由功函數(shù)不同的金屬形成。

10.一種保護(hù)電路，其包括：

電源線(xiàn)，其連接至電源；

接地線(xiàn)，其具有預(yù)定電位；以及

如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的晶體管，

其中，所述源極連接至所述電源線(xiàn)，并且所述漏極連接至所述接地線(xiàn)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的保護(hù)電路，進(jìn)一步包括電容元件，所述電容元件使通過(guò)所述電源線(xiàn)輸入的電信號(hào)延遲，

其中，被延遲的所述電信號(hào)輸入至所述柵極。

12.一種晶體管的制造方法，所述方法包括硅層形成步驟、第一添加步驟和第二添加步驟，

在所述硅層形成步驟中，在半導(dǎo)體基板的表面的柵極絕緣膜上形成硅層；

在所述第一添加步驟中，將預(yù)定雜質(zhì)添加至所述硅層的一部分和所述半導(dǎo)體基板的預(yù)定區(qū)域；并且

在所述第二添加步驟中，將不同于所述預(yù)定雜質(zhì)的雜質(zhì)添加至所述硅層的除了所述一部分以外的部分，

其中，所述半導(dǎo)體基板包括第一輕摻雜漏極和第二輕摻雜漏極，且

其中，不同于所述預(yù)定雜質(zhì)的所述雜質(zhì)和所述預(yù)定雜質(zhì)的定位取決于所述第二輕摻雜漏極的位置。

13.一種晶體管的制造方法，所述方法包括第一堆積步驟、蝕刻步驟和第二堆積步驟，

在所述第一堆積步驟中，在半導(dǎo)體基板的表面的柵極絕緣膜上堆積預(yù)定金屬；

在所述蝕刻步驟中，以殘留所述預(yù)定金屬的一部分的方式通過(guò)蝕刻去除所述預(yù)定金屬；并且

在所述第二堆積步驟中，在所述柵極絕緣膜的表面上堆積不同于所述預(yù)定金屬的金屬，

其中，所述半導(dǎo)體基板包括源極、漏極、布置在所述源極與所述柵極絕緣膜之間的第一輕摻雜漏極和布置在所述漏極與所述柵極絕緣膜之間的第二輕摻雜漏極，其中，不同于所述預(yù)定金屬的所述金屬和所述預(yù)定金屬具有不同的功函數(shù)，且不同于所述預(yù)定金屬的所述金屬和所述預(yù)定金屬的定位基于所述第二輕摻雜漏極的位置。