[發明專利]轉換元件、光電子半導體器件和用于制造轉換元件的方法

在審

• 申請號: 201580075102.2
• 申請日: 2015-12-04
• 公開（公告）號: CN107210345A
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 托馬斯·施瓦茨;弗蘭克·辛格;斯特凡·伊萊克;邁克爾·齊茨爾斯佩格;布麗塔·格厄特茨;多米尼克·斯庫爾滕
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 丁永凡,張春水

1.一種轉換元件(100)，所述轉換元件包括：

-轉換層(16)，所述轉換層包括轉換波長的轉換材料；

-在所述轉換層的第一主面(20)上的第一封裝層(30)，其中所述第一封裝層具有在10μm和500μm之間的厚度；

在所述轉換層的第二主面(22)上的第二封裝層(32)，其中所述第二封裝層具有在0.1μm和20μm之間的厚度，并且其中所述第二封裝層(32)具有Al₂O₃、SiO₂、ZrO₂、TiO₂、Si₃N₄、硅氧烷、SiO_xN_y和/或帕利靈，或者由所述材料之一構成。

2.根據權利要求1所述的轉換元件(100)，其中所述轉換材料包括轉換波長的量子點。

3.根據權利要求1或2所述的轉換元件(100)，其中所述轉換元件的側面(29)具有分割痕跡。

4.根據上述權利要求中任一項所述的轉換元件(100)，其中所述第一封裝層(30)通過由玻璃或塑料構成的載體元件形成。

5.根據上述權利要求中任一項所述的轉換元件(100)，其中在所述第一封裝層(30)上設置有框架元件(34)，所述框架元件側向地圍繞所述轉換層。

6.根據權利要求5所述的轉換元件(100)，其中所述第一封裝層(30)和所述框架元件(34)一件式地構成。

7.根據權利要求1至4中任一項所述的轉換元件(100)，其中所述第二封裝層(32)延伸直到所述轉換層(16)的側面上并且側向地圍繞所述轉換層。

8.根據上述權利要求中任一項所述的轉換元件(100)，其中所述轉換層全方位地被封裝。

9.一種光電子半導體器件(200)，所述光電子半導體器件具有根據上述權利要求中任一項所述的轉換元件(100)，其中

-所述半導體器件具有設置用于產生電磁輻射的半導體芯片(202)；

-所述半導體器件具有殼體本體(204)，所述殼體本體至少沿橫向方向包圍所述半導體芯片；和

-所述轉換元件(100)設置在所述殼體本體上。

10.根據權利要求9所述的光電子半導體器件(200)，其中所述轉換元件(100)設置在所述殼體本體(204)上，使得所述第一封裝層(30)從所述轉換層起觀察背離所述半導體芯片(202)。

11.根據權利要求9或10所述的光電子半導體器件(200)，其中所述殼體本體(204)具有外壁區域(212)，所述外壁區域至少部分地側向地圍繞所述轉換元件(100)。

12.一種用于制造多個根據權利要求1至8中任一項所述的轉換元件(100)的方法，所述方法包括如下步驟：

a)提供載體復合件(10)；

b)在所述載體復合件上構成多個轉換層(16)，其中所述轉換層沿橫向方向彼此間隔開并且分別以第一主面(20)設置在所述載體復合件上；

c)至少在所述多個轉換層的各第二主面(22)上借助如下材料構成覆層(24)，所述材料與所述載體復合件的材料不同；和

d)將所述載體復合件(10)分割成多個轉換元件(100)，其中每個轉換元件(100)具有至少一個轉換層(16)、所述載體復合件(10)的一部分作為第一封裝層(30)和所述覆層(24)的一部分作為第二封裝層(32)。

13.根據權利要求12所述的方法，其中在執行步驟b)之前，在所述載體復合件(10)上構成網格結構(12)，所述網格結構具有多個矩陣狀地設置的留空部(14)，在所述留空部的區域中分別露出所述載體復合件，在步驟b)中在所述留空部之內構成所述多個轉換層(16)，并且將所述網格結構在步驟d)中割斷，使得每個轉換元件(100)具有所述網格結構的一部分作為框架元件(34)，所述框架元件側向地圍繞所述轉換層。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述網格結構(12)通過如下方式構成：將板元件固定在所述載體復合件上，并且在所述板元件中構成留空部。

15.根據權利要求12所述的方法，其中所述網格結構通過如下方式構成：提供載體結構，在所述載體結構中構成矩陣狀地設置的凹部。