[發明專利]用于制造薄膜太陽能電池裝置的方法及薄膜太陽能電池裝置

有效

• 申請號: 201580074403.3
• 申請日: 2015-12-17
• 公開（公告）號: CN107210324B
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: 約翰·博斯曼;崔斯特瑞姆·布德爾
• 申請（專利權）人: 荷蘭能源研究中心基金會
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0463;H01L31/0465;H01L31/20
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;王艷春

1.用于制造具有薄膜太陽能電池陣列的薄膜太陽能電池裝置的方法，所述方法包括：

設置基底；

在所述基底的表面上生成層堆，所述層堆包括底電極層、光伏活性層和頂電極層，其中，所述底電極層布置在所述基底的表面上，所述光伏活性層布置在所述底電極層上，所述頂電極層布置在所述光伏活性層上，以及

生成布置在所述頂電極層上的絕緣層；

在所述絕緣層和所述層堆中生成延伸至所述基底的所述表面的第一溝槽；

在所述第一溝槽的第一側處，在所述絕緣層和所述層堆中生成第二溝槽，所述第二溝槽延伸至所述頂電極層下面的所述光伏活性層中；所述第二溝槽與所述第一溝槽在第一方向上以第一距離間隔開；

使用絕緣材料填充所述第一溝槽和所述第二溝槽；

在填充的第一溝槽與填充的第二溝槽之間，在所述絕緣層和所述層堆中生成第三溝槽，所述第三溝槽延伸至所述底電極層中，使得所述底電極層暴露；

在所述第一溝槽的、與所述第一側相對的第二側處生成第四溝槽，所述第四溝槽延伸通過所述絕緣層至所述頂電極層中，使得所述頂電極層暴露；

使用導電材料填充所述第三溝槽和所述第四溝槽，以及

在所述絕緣層的頂部上，在填充的第三溝槽的頂部與填充的第四溝槽的頂部之間生成導電材料的橋接元件，所述橋接元件橫跨填充的第一溝槽。

2.用于制造薄膜太陽能電池板的方法，所述方法包括：

設置基底；

在所述基底的表面上生成層堆，所述層堆包括底電極層、光伏活性層和頂電極層，其中，所述底電極層布置在所述基底的所述表面上，所述光伏活性層布置在所述底電極層上，以及所述頂電極層布置在所述光伏活性層上；

在所述層堆中生成延伸至所述基底的所述表面的第一溝槽；

在所述第一溝槽的第一側處，在所述層堆中生成第二溝槽，所述第二溝槽延伸至所述頂電極層下面的所述光伏活性層中；所述第二溝槽與所述第一溝槽在第一方向上以第一距離間隔開；

在所述第一溝槽和所述第二溝槽上方生成局部絕緣層，使得所述第一溝槽和所述第二溝槽由所述絕緣層的材料填充，以及所述局部絕緣層覆蓋填充的第一溝槽和填充的第二溝槽，并且所述局部絕緣層在至少所述第一方向和所述第二方向上沿著所述頂電極層的一部分橫向延伸；

通過位于填充的第一溝槽與填充的第二溝槽之間的所述局部絕緣層和所述層堆生成第三溝槽，所述第三溝槽延伸至所述底電極層，使得所述底電極層暴露；

通過位于所述第一溝槽的、與所述第一側相對的第二側處的局部絕緣層生成第四溝槽，所述第四溝槽延伸至所述頂電極層，使得所述頂電極層暴露；

使用導電材料填充所述第三溝槽和所述第四溝槽，以及

在所述局部絕緣層上，在填充的第三溝槽的頂部與填充的第四溝槽的頂部之間生成導電材料的橋接元件，所述橋接元件橫跨所述填充的第一溝槽。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的方法，其中，生成所述第一溝槽、所述第二溝槽、所述第三溝槽或所述第四溝槽通過燒蝕激光劃線執行。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，使用絕緣材料填充所述第一溝槽和所述第二溝槽包括：在所述第一溝槽和所述第二溝槽的位置處印刷包括所述絕緣材料的油墨；以及隨后固化所印刷的油墨。

5.根據權利要求2所述的方法，其中，生成所述局部絕緣層包括：以這樣的局部絕緣層形式，印刷包括絕緣材料的油墨；以及隨后固化所印刷的油墨。

6.根據權利要求4和權利要求5所述的方法，其中，生成所述局部絕緣層包括使用絕緣材料填充所述第一溝槽和所述第二溝槽的步驟。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中，所生成的絕緣層或所生成的局部絕緣層基本上連續且不間斷。

8.根據權利要求1或權利要求2所述方法，其中，填充所述第三溝槽和所述第四溝槽包括從以下步驟中選取的一個填充步驟：

印刷包括導電材料的油墨；

槽染包括導電材料的染料；以及

噴涂包括導電材料的油墨，

在所選取的填充步驟之后固化所述油墨或所述染料。