[發(fā)明專利]二氧化硅覆蓋碳黑及使用其的電極用組合物、二次電池用電極以及二次電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580074376.X | 申請(qǐng)日: | 2015-11-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107207876B | 公開(公告)日: | 2019-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 名古裕輝;西川美佳;伊藤哲哉;橫田博;今井崇人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電化株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C09C1/48 | 分類號(hào): | C09C1/48;C09C1/56;C09C3/08;C09C3/12;H01M4/13;H01M4/139;H01M4/62 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 二氧化硅 壓縮DBP吸收量 二次電池 四烷氧基硅烷 導(dǎo)電性 水解縮合物 長(zhǎng)壽命 分散性 電極 覆蓋 電池 | ||
1.一種二氧化硅覆蓋碳黑,其包含:
碳黑、和
覆蓋所述碳黑的表面的二氧化硅,
所述碳黑的DBP吸收量相對(duì)于壓縮DBP吸收量之比即DBP吸收量/壓縮DBP吸收量為2.2以下,
所述二氧化硅包含式(1)所示的四烷氧基硅烷的水解縮合物,
(CnH2n+1O)4-Si (1)
式(1)中,n表示1以上且5以下的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化硅覆蓋碳黑,其中,所述二氧化硅是在式(2)所示的銨鹽的共存下,使相對(duì)于所述銨鹽的質(zhì)量比為20~250的所述四烷氧基硅烷進(jìn)行水解及縮合而得到的,
式(2)中,X表示Cl、Br或I,m表示3以上且30以下的整數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二氧化硅覆蓋碳黑,其中,所述銨鹽為十六烷基三甲基氯化銨。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的二氧化硅覆蓋碳黑,其中,所述n為1以上且3以下的整數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的二氧化硅覆蓋碳黑,其中,所述二氧化硅的覆蓋量相對(duì)于所述二氧化硅及所述碳黑的總量為10質(zhì)量%~30質(zhì)量%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的二氧化硅覆蓋碳黑,其中,所述碳黑為乙炔黑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的二氧化硅覆蓋碳黑,其體積電阻率為1×105Ω·cm以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的二氧化硅覆蓋碳黑,其中,所述碳黑的DBP吸收量為280mL/100g。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的二氧化硅覆蓋碳黑,其體積電阻率為1×103Ω·cm以下。
10.一種電極用組合物,其包含:
權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的二氧化硅覆蓋碳黑;
選自由能吸收及釋放陽(yáng)離子的正極活性物質(zhì)、和能吸收及釋放陽(yáng)離子的負(fù)極活性物質(zhì)組成的組中的至少一種;和
粘結(jié)劑。
11.一種二次電池用電極,其具備:
金屬箔、和
設(shè)置在所述金屬箔上的權(quán)利要求10所述的電極用組合物的涂膜。
12.一種二次電池,其中,正極及負(fù)極中的至少一者中具備權(quán)利要求11所述的二次電池用電極。
13.一種二氧化硅覆蓋碳黑的制造方法,其包括如下工序:在包含碳黑的分散液中,使式(1)所示的四烷氧基硅烷水解及縮合,以包含所述四烷氧基硅烷的水解縮合物的二氧化硅覆蓋所述碳黑的表面,
所述碳黑的DBP吸收量相對(duì)于壓縮DBP吸收量之比即DBP吸收量/壓縮DBP吸收量為2.2以下,
(CnH2n+1O)4-Si (1)
式(1)中,n表示1以上且5以下的整數(shù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法,其中,所述分散液還包含式(2) 所示的銨鹽,
所述四烷氧基硅烷相對(duì)于所述銨鹽的質(zhì)量比為20~250,
式(2)中,X表示Cl、Br或I,m表示3以上且30以下的整數(shù)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電化株式會(huì)社,未經(jīng)電化株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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