[發(fā)明專利]支持不同類型的存儲器裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580073183.2
• 申請日: 2015-01-28
• 公開（公告）號: CN107112043B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許簡春;羅格·A·皮爾森
• 申請（專利權(quán)）人: 惠普發(fā)展公司有限責任合伙企業(yè)
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 梁洪源;康泉

一種用于支持多種不同類型的存儲器裝置的計算系統(tǒng)，包括存儲器電壓調(diào)節(jié)器。存儲器電壓調(diào)節(jié)器基于序列存在檢測(SPD)數(shù)據(jù)將電源電壓調(diào)節(jié)至檢測到的存儲器裝置的必要電壓。計算系統(tǒng)進一步包括支持多種類型的存儲器裝置的存儲器控制器。存儲器控制器接收關(guān)于所檢測到的存儲器裝置的類型的數(shù)據(jù)，并且基于SPD數(shù)據(jù)和所檢測到的存儲器裝置的GPIO數(shù)據(jù)相對于所檢測到的存儲器裝置的類型控制輸入/輸出信號。

背景技術(shù)

諸如桌面計算裝置、便攜式計算裝置、以及服務器計算裝置等的計算裝置包括數(shù)據(jù)存儲裝置。在這些數(shù)據(jù)存儲裝置之中是可插拔直列式(in-line)存儲器裝置。

附圖說明

附圖圖示本文所述原理的各種示例并且是說明書的一部分。所圖示的示例僅為了示意說明的目的而給出，并且不限制權(quán)利要求的范圍。

圖1A是根據(jù)本文所述原理的一個示例的用于支持不同類型的存儲器裝置的計算系統(tǒng)的存儲器的框圖。

圖1B是根據(jù)本文所述原理的另一示例的用于支持不同類型的存儲器裝置的計算系統(tǒng)的框圖。

圖2是根據(jù)本文所述原理的一個示例的、圖1A和圖1B的計算系統(tǒng)的存儲器控制器和存儲器電壓調(diào)節(jié)器的框圖。

圖3是根據(jù)本文所述原理的一個示例描繪操作計算系統(tǒng)的方法的流程圖，該計算系統(tǒng)支持不同類型的存儲器裝置。

圖4是根據(jù)本文所述原理的另一示例的描繪操作計算系統(tǒng)的方法的流程圖，該計算系統(tǒng)支持不同類型的存儲器裝置。

貫穿附圖，相同的附圖標記指代相似但是不一定相同的元件。

具體實施方式

可插拔直列式存儲器裝置包括諸如單排直列式存儲器裝置(SIMM)和雙排直列式存儲器裝置(DIMM)的存儲器裝置。DIMM包括一系列動態(tài)隨機存取存儲器集成電路。這些存儲器裝置安裝在印刷電路板上，并且被設(shè)計為供個人計算機、工作站和服務器使用。雙倍數(shù)據(jù)速率第三代同步動態(tài)隨機存取存儲器(DDR3 SDRAM)是用在 DIMM存儲器裝置中的一類動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。DDR3 SDRAM包括高帶寬(“雙倍數(shù)據(jù)速率”)接口。DDR3 SDRAM由于不同的發(fā)信電壓、時序和其他因素而與任何早期類型的隨機存取存儲器(RAM)既不向前兼容也不向后兼容。雙倍數(shù)據(jù)速率第四代同步動態(tài)隨機存取存儲器(DDR4 SDRAM)也是用在DIMM存儲器裝置中的一類動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)，具有雙倍數(shù)據(jù)速率接口。DDR4SDRAM由于不同的發(fā)信電壓、物理接口以及其他因素而與包括DDR4 SDRAM的任何早期類型的隨機存取存儲器(RAM)均不兼容。

計算裝置制造商可以制造他們的計算裝置以包括多種類型的存儲器裝置插槽中的一種類型的存儲器裝置插槽以及對應的存儲器裝置類型。例如，計算機裝置可以被設(shè)計成僅支持一種類型的存儲器，諸如DDR3 SDRAM或DDR4 SDRAM。然而，當計算裝置市場在計算裝置的壽命期間或者在計算平臺的設(shè)計期間從一種存儲器存儲技術(shù)轉(zhuǎn)變至另一種時，設(shè)計或者重新設(shè)計具有兩者中的任一類型的存儲器的計算裝置或所設(shè)計的平臺會導致關(guān)于計算裝置制造商在市場中的競爭不利。一方面，如果計算裝置制造商選擇僅支持諸如DDR3SDRAM的較老的存儲器裝置類型，那么這可能導致計算裝置或所設(shè)計的平臺相對于諸如DDR4 SDRAM的相對較新的存儲器裝置類型的競爭者的支持而處于性能劣勢。另一方面，如果計算裝置制造商選擇僅支持較新的存儲器裝置類型(DDR4 SDRAM)，那么這可能導致計算裝置或所設(shè)計的平臺相對于相對較老、不太昂貴的存儲器裝置類型(DDR3 SDRAM)的競爭者的支持而在市場中處于成本劣勢。