[發明專利]電子器件用外延基板、電子器件、電子器件用外延基板的制造方法及電子器件的制造方法

有效

• 申請號: 201580072647.8
• 申請日: 2015-12-18
• 公開（公告）號: CN107112242B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 萩本和德;篠宮勝;土屋慶太郎;后藤博一;佐藤憲;鹿內洋志
• 申請（專利權）人: 信越半導體股份有限公司;三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L21/338
• 分類號: H01L21/338;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李英艷;張永康

1.一種電子器件用外延基板，其特征在于，

具有：硅系基板；

AlN初始層，被設置于前述硅系基板上；以及，

緩沖層，被設置于前述AlN初始層上，

前述電子器件用外延基板具有：通道層，被設置于前述緩沖層上；

障壁層，被設置于前述通道層上；以及，

頂蓋層，被設置于前述障壁層上，

前述AlN初始層的位于前述緩沖層側的表面的粗糙度Sa為4nm以上且為8nm以下。

2.如權利要求1所述的電子器件用外延基板，其中，前述緩沖層，包含與前述AlN初始層接觸的Al_zGa_1-zN層，而且0≤z＜1，

前述Al_zGa_1-zN層的位于前述AlN初始層的相反側的表面的粗糙度Sa為0.6nm以下，而且0≤z＜1。

3.如權利要求2所述的電子器件用外延基板，其中，前述緩沖層包含多層膜，該多層膜與前述Al_zGa_1-zN層接觸，并由Al_xGa_1-xN層與Al_yGa_1-yN層交互積層而成，而且0≤z＜1、0＜x≤1、0≤y＜x；

前述多層膜的位于前述Al_zGa_1-zN層的相反側的表面的粗糙度Sa為0.3nm以下，而且0≤z＜1。

4.一種電子器件，其特征在于，是使用權利要求1～3中任一項所述的電子器件用外延基板而制作出來的電子器件，在前述電子器件用外延基板上設置有電極。

5.一種電子器件用外延基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在硅系基板上形成AlN初始層的工序；

在前述AlN初始層上形成緩沖層的工序；

在前述緩沖層上形成通道層的工序；

在前述通道層上形成障壁層的工序；以及，

在前述障壁層上形成頂蓋層的工序，

將前述AlN初始層的位于前述緩沖層側的表面的粗糙度Sa設為4nm以上且為8nm以下。

6.一種電子器件用外延基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在硅系基板上形成AlN初始層的工序；

在前述AlN初始層上形成緩沖層的工序；

在前述緩沖層上形成通道層的工序；

在前述通道層上形成障壁層的工序；

在前述障壁層上形成頂蓋層的工序；以及，

在前述頂蓋層上形成電極的工序，

將前述AlN初始層的位于前述緩沖層側的表面的粗糙度Sa設為4nm以上且為8nm以下。