[發(fā)明專利]用于松散黝銅礦材料的電接觸部和熱接觸部及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580072115.4
• 申請日: 2015-12-16
• 公開（公告）號: CN107112407A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 琳賽·米勒;約翰·P·賴芬貝格;道格拉斯·克蘭;亞當·洛里默;馬里奧·阿吉雷;喬丹·蔡斯;馬修·L·斯卡林
• 申請（專利權(quán)）人: 阿爾法貝特能源公司
• 主分類號: H01L35/16
• 分類號: H01L35/16
• 代理公司: 北京安信方達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11262
• 代理人: 張瑞,鄭霞

1.一種結(jié)構(gòu)，包括：

黝銅礦基底；

第一接觸金屬層，其被布置在所述黝銅礦基底上面并且與所述黝銅礦基底直接接觸；以及

第二接觸金屬層，其被布置在所述第一接觸金屬層上面。

2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述第一接觸金屬層包含選自由以下組成的組的材料：難熔金屬、與Ti或W成合金的難熔金屬、穩(wěn)定的硫化物、與Ti或W成合金的穩(wěn)定的硫化物、穩(wěn)定的難熔金屬氮化物以及穩(wěn)定的難熔金屬碳化物。

3.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)，其中所述難熔金屬選自由以下組成的組：Mo、Nb、Ta、W、Re、Ti、V、Cr、Zr、Hf、Ru、Rh、Os以及Ir。

4.如權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其中所述穩(wěn)定的難熔金屬氮化物選自由以下組成的組：TiN和TaN。

5.如權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)，其中所述穩(wěn)定的難熔金屬碳化物選自由以下組成的組：TiC和WC。

6.如權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu)，其中所述穩(wěn)定的硫化物包括La₂S₃。

7.如權(quán)利要求1-6中任一項所述的結(jié)構(gòu)，其中所述第二接觸金屬層包含貴金屬。

8.如權(quán)利要求1-6中任一項所述的結(jié)構(gòu)，其中所述第二接觸金屬層包含選自由以下組成的組的材料：Au、Ag、Ni、Ni/Au以及Ni/Ag。

9.如權(quán)利要求1-8中任一項所述的結(jié)構(gòu)，還包括擴散屏障金屬層，所述擴散屏障金屬層被布置在所述第一接觸金屬層和所述第二接觸金屬層之間。

10.如權(quán)利要求9所述的結(jié)構(gòu)，其中所述擴散屏障金屬層包含選自由以下組成的組的材料：難熔金屬、與Ti或W成合金的難熔金屬、穩(wěn)定的硫化物、穩(wěn)定的氮化物、與Ti或W成合金的穩(wěn)定的硫化物以及與Ti或W成合金的穩(wěn)定的氮化物。

11.如權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu)，其中所述難熔金屬選自由以下組成的組：Mo、Nb、Ta、W、Re、Ti、V、Cr、Zr、Hf、Ru、Rh、Os以及Ir。

12.如權(quán)利要求9所述的結(jié)構(gòu)，其中所述擴散屏障金屬層包含選自由以下組成的組的材料：TiB₂、Ni以及MCrAlY，其中M是Co、Ni或Fe。

13.如權(quán)利要求9-12中任一項所述的結(jié)構(gòu)，其中所述第一接觸金屬層和所述擴散屏障金屬層以交替的層被沉積。

14.如權(quán)利要求1-13中任一項所述的結(jié)構(gòu)，還包含與所述第二接觸金屬層直接接觸的硬焊料或軟焊料。

15.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述第一接觸金屬層包含選自由以下組成的組的材料：Ti、Ta、Cr、W、Nb、TiN、Mo、CrNi以及TaN。

16.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求15所述的結(jié)構(gòu)，其中所述第二接觸金屬層包含選自由以下組成的組的材料：Ag、Ni、Ni/Au以及Ni/Ag。

17.如權(quán)利要求1、15或16中任一項所述的結(jié)構(gòu)，還包括擴散屏障金屬層，所述擴散屏障金屬層被布置在所述第一接觸金屬層和所述第二接觸金屬層之間。

18.如權(quán)利要求17所述的結(jié)構(gòu)，其中所述擴散屏障金屬層包含選自由以下組成的組的材料：Ti、Ta、Cr、W、Nb、TiN、TaN、CrNi以及Mo。

19.如權(quán)利要求17或權(quán)利要求18所述的結(jié)構(gòu)，其中所述第一接觸金屬層和所述擴散屏障金屬層以交替的層被沉積。

20.如權(quán)利要求1或15-19中任一項所述的結(jié)構(gòu)，還包含與所述第二接觸金屬層直接接觸的硬焊料或軟焊料。

21.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述第一接觸金屬層包含選自由以下組成的組的材料：TiW、TiB₂、Y以及MCrAlY，其中M是Co、Ni或Fe。

22.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求21所述的結(jié)構(gòu)，其中所述第二接觸金屬層包含選自由以下組成的組的材料：Ni、Ag以及Au。