[發(fā)明專利]存儲器總線管理

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580071451.7
• 申請日: 2015-11-30
• 公開（公告）號: CN107111574B
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發(fā)明（設計）人: L.M.加文斯;D.李;M.何;C.迪恩
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技有限責任公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;G06F13/40
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 萬里晴

一種管理存儲器總線的方法，所述方法包括：標識執(zhí)行命令所需要的子操作；維持僅包含指向被標識為可用的單獨裸片的釋放的未執(zhí)行子操作的釋放子操作列表；訪問所述裸片直到所述列表為空為止；隨后，輪詢以便標識可用的裸片；以及隨后，恢復通過僅執(zhí)行來自所述列表的子操作來訪問所述裸片，直到所述列表為空為止。

背景技術

本申請涉及對如半導體閃存等可重新編程非易失性存儲器的操作。

能夠對電荷進行非易失性存儲的固態(tài)存儲器(特別是采取被封裝為小形狀因數(shù)卡的EEPROM和閃速EEPROM的形式)已經(jīng)變成各種移動和手持式設備(尤其是信息電器和消費者電子產(chǎn)品)中的精選存儲設備。不像同樣作為固態(tài)存儲器的RAM(隨機存取存儲器)，閃存是非易失性的并且甚至在關掉電源之后保留其存儲數(shù)據(jù)。而且，不像ROM(只讀存儲器)，類似于磁盤存儲設備，閃存是可重寫的。

閃速EEPROM類似于EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)，因為它是可以被擦除的并且使新數(shù)據(jù)寫入或“編程”到其存儲器單元中的非易失性存儲器。兩者都利用場效應晶體管結構中被定位在半導體襯底中在源極區(qū)域與漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)域之上的浮置(未連接的)導電柵極。然后，通過浮柵提供控制柵極。晶體管的閾值電壓特性由保留在浮柵上的電荷的量控制。也就是說，對于浮柵上的給定電荷水平，在“接通”晶體管以便允許其源極區(qū)域與漏極區(qū)域之間導電之前，存在將向控制柵極施加的相應電壓(閾值)。如閃速EEPROM等閃存允許同時擦除整個存儲器單元塊。

浮柵可以保持一些電荷，并且因此可以被編程到閾值電壓窗口內(nèi)的任何閾值電壓水平。閾值電壓窗口的大小由設備的最小和最大閾值水平界定，所述最小和最大閾值水平進而與可以編程到浮柵上的所述一些電荷相對應。閾值窗口通常取決于存儲器設備的特性、操作條件和歷史。原則上，窗口內(nèi)的每個不同的可分解閾值電壓水平范圍可以用于指定單元的確切存儲器狀態(tài)。

非易失性存儲器設備還由具有用于存儲電荷的介電層的存儲器單元制成。使用介電層而不是此前描述的導電浮柵元件。ONO介電層延伸跨過源極擴散與漏極擴散之間的溝道。一個數(shù)據(jù)位的電荷被定位在與漏極相鄰的介電層中，而另一個數(shù)據(jù)位的電荷被定位在與源極相鄰的介電層中。通過分別讀取電介質(zhì)內(nèi)的空間分離電荷儲存區(qū)域的二進制狀態(tài)來實施多狀態(tài)數(shù)據(jù)存儲。

許多非易失性存儲器沿著襯底(例如，硅襯底)表面形成為二維(2D)或平面存儲器。其他非易失性存儲器是三維(3D)存儲器，所述3D存儲器單片地形成于具有被布置在襯底上方的有源區(qū)域的一個或多個物理存儲器單元級中。

發(fā)明內(nèi)容

在一些非易失性存儲器系統(tǒng)中，兩個或更多個存儲器裸片可以通過共享總線與存儲器控制器通信。如果沒有有效地管理，則這種總線可能變成瓶頸。具體地，當通過輪詢裸片以便標識裸片何時就緒來占用存儲器總線時，這使得存儲器總線對其他目的而言不可用，即使當其他裸片可能就緒并且可以使用時。存儲器總線管理方案的示例將所接收到的命令解析成子命令，所述子命令然后各自占用存儲器總線連續(xù)的時間段(即它們不中斷地使用存儲器總線)。僅當子操作的相應裸片就緒時，所述子操作被釋放用于執(zhí)行。因此，當子操作被釋放時，其可以被立刻執(zhí)行而不輪詢相應裸片。輪詢僅發(fā)生在不再存在所釋放的子操作用于執(zhí)行時。因此，只要存在具有被標識為就緒的相應裸片的子操作，就在不延遲輪詢的情況下繼續(xù)執(zhí)行子操作。僅當不再存在具有被標識為就緒的相應裸片的子操作時輪詢發(fā)生，從而使得由于輪詢而不失去執(zhí)行的機會。