[發(fā)明專利]具有發(fā)光二極管的光電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580071371.1
• 申請日: 2015-12-24
• 公開（公告）號: CN107112344B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 澤維爾·于翁
• 申請（專利權(quán)）人: 艾利迪公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/08;H01L33/18;H01L33/24;H01L33/62
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 王小衡;任慶威

1.一種光電子設(shè)備(40；80；90)，包括：襯底(42)，其包括相對的第一表面(46)和第二表面(44)；橫向電絕緣元件(48)，其從所述第一表面(46)延伸到所述第二表面(44)并且在所述襯底中界定彼此電絕緣的多個第一半導(dǎo)體或?qū)щ姴糠?50)，所述光電子設(shè)備針對每個第一半導(dǎo)體或?qū)щ姴糠诌€包括所述第二表面上的與所述第一半導(dǎo)體或?qū)щ姴糠窒嘟佑|的第一導(dǎo)電墊(52)以及倚靠在所述第一表面上并電連接到所述第一半導(dǎo)體或?qū)щ姴糠值陌l(fā)光二極管或發(fā)光二極管的組件(D)，所述光電子設(shè)備還包括覆蓋所有所述發(fā)光二極管的導(dǎo)電的且至少部分透明的電極層(66)、覆蓋所述電極層的絕緣的且至少部分透明的包封層(70)以及電連接到所述電極層的至少一個第二導(dǎo)電墊(82)，并且還包括在每個組件的所述發(fā)光二極管周圍覆蓋所述電極層的導(dǎo)電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子設(shè)備，其中，每個發(fā)光二極管包括至少一個線形的或圓錐形的或尖錐形的半導(dǎo)體元件(56)，所述半導(dǎo)體元件(56)在頂部或至少在其橫向表面的部分上集成或覆蓋有外殼(64)，所述外殼(64)包括能夠供應(yīng)所述發(fā)光二極管的大多數(shù)輻射的至少一個有源層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子設(shè)備，其中，所述橫向電絕緣元件(48)包括在所述襯底(42)中從所述第一表面(46)延伸到所述第二表面(44)的至少一個絕緣壁。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子設(shè)備，其中，所述橫向電絕緣元件(48)還在所述襯底(42)中界定與所述第一半導(dǎo)體或?qū)щ姴糠?50)電絕緣并電連接到所述電極層(66)的第二半導(dǎo)體或?qū)щ姴糠帧?/p>

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電子設(shè)備，其中，所述第二導(dǎo)電墊(82)在所述第二表面(44)的一側(cè)上與所述第二半導(dǎo)體或?qū)щ姴糠蛛娊佑|。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子設(shè)備，其中，所述第二導(dǎo)電墊(82)被定位在所述第一表面(46)的一側(cè)上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子設(shè)備，其中，所述襯底(42)由硅、鍺、碳化硅、III-V化合物或ZnO制成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電子設(shè)備，其中所述III-V化合物為GaN或GaAs。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電子設(shè)備，其中，所述襯底(42)由單晶硅制成并且包括在從5*10¹⁶atoms/cm³到2*10²⁰atoms/cm³的范圍內(nèi)的摻雜濃度。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電子設(shè)備，其中，每個半導(dǎo)體元件(56)由III-V化合物或II-VI化合物制成。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光電子設(shè)備，其中所述III-V化合物為氮化鎵。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子設(shè)備，包括所述包封層(70)上的透鏡。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電子設(shè)備，其中，所述光電子設(shè)備為顯示屏或投影設(shè)備。