[發明專利]波長轉換構件及其制造方法

在審

• 申請號: 201580070808.X
• 申請日: 2015-12-21
• 公開（公告）號: CN107431111A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 宮永昭治;金海榮一
• 申請（專利權）人: NS材料株式會社
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50
• 代理公司: 北京瑞盟知識產權代理有限公司11300
• 代理人: 劉昕

1.一種波長轉換構件，其特征在于，包括：

具有量子點的量子點層；以及

至少形成于所述量子點層的兩側的障壁層，

所述障壁層的水蒸氣透過度低于9(g/m²·day)。

2.如權利要求l所述的波長轉換構件，其中，

所述水蒸氣透過度為0.1(g/m²·day)以下。

3.如權利要求1或2所述的波長轉換構件，其中，

所述障壁層形成于所述量子點層的整個外周。

4.如權利要求3所述的波長轉換構件，其中，

在相對于所述量子點層的相同側的側部，所述障壁層的卷繞始端與卷繞終端接合。

5.如權利要求3所述的波長轉換構件，其中，

在所述量子點層的兩側部，配置于所述量子點層的上下兩側的所述障壁層彼此接合。

6.如權利要求1至5中任一項所述的波長轉換構件，其中，

所述量子點層由成形體所形成，或通過噴墨法形成。

7.如權利要求1至6中任一項所述的波長轉換構件，其中，

所述障壁層至少具有有機層而形成。

8.如權利要求7所述的波長轉換構件，其中，

所述障壁層包含層疊構造，

在與所述量子點層相對置的最內側層形成有所述有機層。

9.如權利要求8所述的波長轉換構件，其中，

在所述障壁層中，在所述最內側層的外側設置有無機層。

10.如權利要求7所述的波長轉換構件，其中，

所述有機層設置有多個層，

在所述有機層與所述有機層之間介存有無機層。

11.如權利要求9或10所述的波長轉換構件，其中，

所述無機層由SiO₂層所形成。

12.如權利要求7至11中任一項所述的波長轉換構件，其中，

所述有機層與所述量子點層相接而形成。

13.如權利要求7至12中任一項所述的波長轉換構件，其中，

所述有機層條由PET膜所形成。

14.如權利要求1至13中任一項所述的波長轉換構件，其中，

在所述量子點層中含有增粘劑。

15.如權利要求1至14中任一項所述的波長轉換構件，其中，

在所述量子點層中含有光散射劑。

16.如權利要求1至15中任一項所述的波長轉換構件，其中，

在所述障壁層的表面被實施毛面化處理。

17.一種波長轉換構件的制造方法，其特征在于，

在具有量子點的量子點層的至少兩側，形成包含水蒸氣透過度低于9(g/m²·day)的材質的障壁層。

18.如權利要求17的波長轉換構件所述的制造方法，其中，

利用所述障壁層覆蓋所述量子點層的整個外周。

19.如權利要求18的波長轉換構件所述的制造方法，其具有如下步驟：

在下側的障壁層的表面隔開間隔而形成多個所述量子點層的步驟；

自所述下側的障壁層的表面至多個所述量子點層的表面形成上側的障壁層的步驟；以及

切斷所述量子點層之間的所述下側的障壁層與所述上側的障壁層而分割為各量子點層的步驟。

20.如權利要求17至19中任一項所述的波長轉換構件的制造方法，其中，

利用成形體形成所述量子點層，或通過噴墨法形成所述量子點層。

21.如權利要求17至20中任一項所述的波長轉換構件的制造方法，其中，

所述障壁層具有有機層，且使所述有機層朝向與所述量子點層相對置的最內側。

22.如權利要求17至20中任一項所述的波長轉換構件的制造方法，其中，

使用具有多個有機層、以及介存于所述有機層與所述有機層之間的無機層的所述障壁層，將與所述量子點層相對置的最內側及所述障壁層的最表面設為所述有機層。

23.如權利要求17至22中任一項所述的波長轉換構件的制造方法，其中，

在所述量子點層中包含增粘劑。