[發明專利]半導體外延晶片的制造方法及固體攝像元件的制造方法

有效

• 申請號: 201580070696.8
• 申請日: 2015-11-25
• 公開（公告）號: CN107431018B
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發明（設計）人: 廣瀨諒;奧山亮輔;栗田一成
• 申請（專利權）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: H01L21/322
• 分類號: H01L21/322;H01L21/20;H01L21/265;H01L27/146
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;劉春元

1.一種半導體外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：

第1工序，對半導體晶片的表面照射含有碳來作為構成元素的簇離子，在該半導體晶片的表面部形成固溶有所述簇離子的構成元素的成為吸雜部位的改性層；及

第2工序，在所述半導體晶片的改性層上形成外延層，

所述第1工序在將所述半導體晶片的溫度保持為低于25℃的狀態下進行。

2.根據權利要求1所述的半導體外延晶片的制造方法，其中，

所述第1工序在將所述半導體晶片的溫度保持為0℃以下的狀態下進行。

3.根據權利要求1或2所述的半導體外延晶片的制造方法，其中，

所述第1工序在將所述半導體晶片的溫度保持為-200℃以上的狀態下進行。

4.根據權利要求1或2所述的半導體外延晶片的制造方法，其中，

所述第1工序在所述改性層中的厚度方向的一部分成為非晶層的條件下進行。

5.根據權利要求4所述的半導體外延晶片的制造方法，其中，

所述第1工序在所述非晶層的所述半導體晶片表面側的表面的平均深度為自所述半導體晶片表面起20nm以上的條件下進行。

6.根據權利要求1或2所述的半導體外延晶片的制造方法，其中，

所述簇離子含有兩種以上的元素來作為構成元素，并且，所述兩種以上的元素中的一種是碳。

7.根據權利要求1或2所述的半導體外延晶片的制造方法，其中，

所述簇離子的碳原子數為16個以下。

8.根據權利要求1或2所述的半導體外延晶片的制造方法，其中，

在所述第1工序中，碳的劑量為1×10¹³原子/cm²～5×10¹⁵原子/cm²。

9.一種固體攝像元件的制造方法，其特征在于，

在利用根據權利要求1～8的任一項所述的制造方法制造的半導體外延晶片的所述外延層上形成固體攝像元件。