[發(fā)明專利]電極、制造電極的方法及產(chǎn)生局部擊穿的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580070589.5
• 申請日: 2015-10-23
• 公開（公告）號: CN107210101B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·C·韋拉
• 申請（專利權(quán)）人: E/G電圖公司
• 主分類號: H01B17/64
• 分類號: H01B17/64;H01L51/30;H01L51/00
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;師瑋

1.一種制造電極的方法，該方法包括以下步驟：

使所述電極的表面包括至少一個幾何特征，所述至少一個幾何特征被設(shè)置成在使用期間生成至少一個三聯(lián)結(jié)合部，所述幾何特征包括：

第一表面部分，所述第一表面部分被設(shè)置成在使用中暴露于沉積物形成粒子；以及

隱蔽表面部分，所述隱蔽表面部分在使用中被避免暴露于沉積物形成粒子，所述隱蔽表面部分與所述第一表面部分相鄰。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一個幾何特征是幾何特征的陣列，每一個幾何特征都包括被設(shè)置成在使用中暴露于沉積物形成粒子的所述第一表面部分以及在使用中被避免暴露于沉積物形成粒子的所述隱蔽表面部分，所述隱蔽表面部分與所述第一表面部分相鄰。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

在所述電極要被使用的環(huán)境中確定沉積物形成粒子的方向性；以及

設(shè)置所述第一表面部分以從所確定的方向接收沉積物形成粒子。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

設(shè)置所述隱蔽表面部分，使得所述隱蔽表面部分通過所述第一表面部分避免來自所確定的方向的沉積物形成粒子。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一表面部分被設(shè)置成在使用中避免所述隱蔽表面部分暴露于沉積物形成粒子。

6.一種具有表面的電極，該電極包括：

至少一個幾何特征，所述至少一個幾何特征被設(shè)置成在使用期間生成至少一個三聯(lián)結(jié)合部，所述幾何特征包括：

第一表面部分，所述第一表面部分被設(shè)置成在使用中暴露于沉積物形成粒子；以及

隱蔽表面部分，所述隱蔽表面部分在使用中被避免暴露于沉積物形成粒子，所述隱蔽表面部分與所述第一表面部分相鄰。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電極，其中，所述第一表面部分被設(shè)置成在使用中避免所述隱蔽表面部分暴露于沉積物形成粒子。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電極，其中，所述第一表面部分被設(shè)置成接收具有第一方向性的沉積物形成粒子。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電極，其中，所述隱蔽表面部分被設(shè)置成使得所述隱蔽表面部分避免暴露于具有所述第一方向性的沉積物形成粒子。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電極，其中，所述幾何特征被設(shè)置為突出部，并且所述第一表面部分遮蔽所述隱蔽表面部分。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電極，其中，所述幾何特征被設(shè)置成在使用中產(chǎn)生兩個三聯(lián)結(jié)合部，所述兩個三聯(lián)結(jié)合部中的第一三聯(lián)結(jié)合部形成在由所述第一表面部分與所述隱蔽表面部分的相交形成的所述突出部的尖端下方，而所述兩個三聯(lián)結(jié)合部中的第二三聯(lián)結(jié)合部形成在所述尖端下方的平面上。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電極，其中，所述幾何特征被設(shè)置成使所述第一三聯(lián)結(jié)合部定位于靠近所述第二三聯(lián)結(jié)合部，以增強所述兩個三聯(lián)結(jié)合部的低電平放電活動。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電極，其中，所述至少一個幾何特征是所述至少一個幾何特征的陣列。

14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電極，其中，所述至少一個幾何特征是至少一個電極鰭，所述至少一個電極鰭被設(shè)置成在使用中與絕緣粒子的方向正交地從所述電極伸出。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電極，其中，所述至少一個電極鰭是電極鰭的陣列。