[發(fā)明專利]太陽能電池模組及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580070529.3
• 申請日: 2015-12-17
• 公開（公告）號: CN107148676B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小池淳一;須藤祐司;安藤大輔;和田真
• 申請（專利權(quán)）人: 材料概念有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/048
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.太陽能電池模組，其在基板的受光面?zhèn)劝Ｗo(hù)玻璃及封裝材料，其中，在基板與保護(hù)玻璃之間包含氧化物層，所述氧化物層含有金屬元素及硅，其中，所述氧化物層含有錳作為所述金屬元素，

其中，所述氧化物層中，所述金屬元素與所述硅的合計(jì)濃度為20原子％以上、70原子％以下。

2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模組，其中，以原子％計(jì)，所述氧化物層中所述金屬元素的濃度相對于所述硅的濃度為等量以上、10倍以下。

3.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模組，其中，所述氧化物層相對于波長為587nm的入射光的折射率為1.5以上、2.3以下。

4.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模組，其中，所述氧化物層的厚度為5nm以上、200nm以下。

5.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模組，其中，所述氧化物層形成在設(shè)置于基板的受光面?zhèn)缺砻娴姆婪瓷淠せ蛲该鲗?dǎo)電膜上。

6.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模組，其中，所述氧化物層形成在所述保護(hù)玻璃的封裝材料側(cè)表面。

7.太陽能電池模組的制造方法，包括下述工序：

在基板的受光面?zhèn)缺砻嬖O(shè)置防反射膜或透明導(dǎo)電膜的工序，

在所述防反射膜或透明導(dǎo)電膜上設(shè)置含有金屬元素及硅的氧化物層的工序，

在所述氧化物層上設(shè)置封裝材料的工序，及

在所述封裝材料上設(shè)置保護(hù)玻璃的工序，

其中，所述氧化物層的厚度為5nm以上、200nm以下，所述氧化物層的折射率在入射光波長587nm的條件下為1.5以上、2.3以下，

其中，所述氧化物層含有錳作為所述金屬元素，

其中，所述氧化物層中，所述金屬元素與所述硅的合計(jì)濃度為20原子％以上、70原子％以下。

8.如權(quán)利要求7所述的太陽能電池模組的制造方法，包括下述工序：

在所述防反射膜或所述透明導(dǎo)電膜上涂布含有金屬元素及硅的溶液的第一工序，及

在含氧氣氛中于200℃以上、800℃以下的溫度進(jìn)行燒成的第二工序。

9.如權(quán)利要求7所述的太陽能電池模組的制造方法，包括下述工序：

利用蒸鍍法在所述防反射膜或所述透明導(dǎo)電膜上形成含有金屬元素及硅的膜的第一工序，及

在含氧氣氛中于200℃以上、800℃以下的溫度進(jìn)行燒成的第二工序。

10.太陽能電池模組的制造方法，包括下述工序：

在基板的受光面?zhèn)缺砻嬖O(shè)置防反射膜或透明導(dǎo)電膜的工序，

在所述防反射膜或透明導(dǎo)電膜上設(shè)置封裝材料的工序，及

在保護(hù)玻璃的基板側(cè)表面設(shè)置含有金屬元素及硅的氧化物層的工序，

其中，氧化物層的厚度為5nm以上、200nm以下，氧化物層的折射率在入射光波長587nm的條件下為1.5以上、2.3以下，

其中，所述氧化物層含有錳作為所述金屬元素，

其中，所述氧化物層中，所述金屬元素與所述硅的合計(jì)濃度為20原子％以上、70原子％以下。

11.如權(quán)利要求10所述的太陽能電池模組的制造方法，包括下述工序：

向所述保護(hù)玻璃的表面上涂布含有金屬元素及硅的溶液的第一工序，及

在含氧氣氛中于200℃以上、500℃以下的溫度進(jìn)行燒成的第二工序。

12.如權(quán)利要求10所述的太陽能電池模組的制造方法，包括下述工序：

利用蒸鍍法在保護(hù)玻璃的表面上形成含有金屬元素及硅的膜的第一工序，及

在含氧氣氛中于200℃以上、500℃以下的溫度進(jìn)行燒成的第二工序。