[發(fā)明專利]用于主動組件的電磁屏蔽和熱管理的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580070483.5 | 申請日: | 2015-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN107112311B | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 向井賢一郎;金權(quán)一;L·加赫蒂;L·勃蘭特;T·馬格亞 | 申請(專利權(quán))人: | 德國艾托特克公司 |
| 主分類號: | H01L23/552 | 分類號: | H01L23/552 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 主動 組件 電磁 屏蔽 管理 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種形成用于主動組件的電磁屏蔽與熱管理的金屬層的方法,所述方法優(yōu)選通過濕式化學金屬電鍍,在模制化合物的層上使用增粘層并且在所述增粘層上形成至少一個金屬層或通過濕式化學金屬電鍍工藝在所述增粘層上形成至少一個金屬層來實現(xiàn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于主動組件的電磁屏蔽與熱管理的方法。
背景技術(shù)
電子消費裝置變得越來越強大,越來越小并且越來越快。這對于如智能手機的手持裝置尤其如此,歸功于其巨大功能性以及其相對較小的尺寸,所述手持裝置已變得極其流行。所述裝置的性能依賴于高時鐘速度和小集成電路模塊。
高時鐘速度的前提條件為在整個電磁波譜中產(chǎn)生電磁發(fā)射的高信號速度。確切地說,當電路(主動組件)非常接近彼此安置時,需要對所述發(fā)射進行屏蔽。
高信號強度和電磁發(fā)射可能引起對電子組件的運作的干擾。這一現(xiàn)象有時被稱為電磁干擾(EMI)或串擾。屏蔽廣泛用于避免此類干擾。
電子裝置中的許多組件類型需要此類屏蔽。舉例來說,構(gòu)成模塊的子模塊可能需要受到屏蔽而免遭EMI透射。
用于主動組件的磁EMI或電EMI屏蔽的各種方法為已知的。當前,這主要由金屬罐來完成。然而,這一技術(shù)增加空間需求,其對于小型化的趨勢有所不利。
美國專利8,062,930 B1解決降低用于屏蔽的罐的空間需求的需要。描述為一種具有電磁屏蔽的子模塊的制造過程。首先,形成具有針對兩個或更多個子模塊的電路的元模塊。將包覆模制主體置放于針對全部子模塊的電路的上方。進一步分割元模塊的包覆模制主體以暴露子模塊中的每一個周圍的金屬層柵格。隨后,將電磁屏蔽材料涂覆到子模塊中的每一個的包覆模制主體的外表面并且與金屬層柵格接觸。隨后將元模塊單一化以形成具有兩個或更多個子模塊的模塊。
那些金屬化封裝主動組件的一個至關(guān)重要的要求為保護封裝的I/O(電輸入/輸出)側(cè)免遭其它金屬化,因為這將導致I/O短路。
相關(guān)應(yīng)用為使用保形單側(cè)金屬化層熱管理或耗散由主動組件產(chǎn)生的熱量。與主動組件的電功率消耗相關(guān)的未耗散的熱量可能會累積到高溫(超過150℃),最終損壞或破壞主動組件或芯片的功能性。EMI屏蔽應(yīng)用中有所相似,必須保護I/O側(cè)免遭其它金屬化以防止I/O短路。
因此,需要保形單側(cè)屏蔽工藝,其能夠有效地并且選擇性地屏蔽小型裝置并且其并未明顯增加電子組件的大小。
發(fā)明內(nèi)容
這一目標通過一種形成用于主動組件(襯底)的電磁屏蔽與熱管理的金屬層的方法得到解決,所述方法優(yōu)選通過濕式化學金屬電鍍實現(xiàn),所述方法包含以下步驟:
(i)提供至少一個主動組件10,所述主動組件具有前側(cè)11、后側(cè)14和側(cè)壁20,所述前側(cè)11包含通過模制化合物的層13封入的至少一個芯片12;
(ii)在后側(cè)上形成保護層15;
(iii)在前側(cè)11上并且任選地在側(cè)壁20上形成位于模制化合物的層13上的增粘層16;
(iv)在增粘層上形成至少一個金屬層17
或
通過濕式化學金屬電鍍工藝在增粘層上形成至少一個金屬層17。
附圖說明
圖1顯示一種形成用于根據(jù)本發(fā)明的電磁屏蔽與熱管理的金屬層的方法。
具體實施方式
根據(jù)本發(fā)明的方法基于化學增粘劑,其中通過模制化合物封入的組件直接涂布有金屬層或通過濕式化學電鍍法直接涂布有金屬層。用于提供無電式銅或銅合金層或鎳或鎳合金層的方法尤其合適。通過這一方法空間需求降到最低。另外,這一工藝適合于電子器件和印刷電路板(PCB)行業(yè)的現(xiàn)有基礎(chǔ)建設(shè)。
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