[發(fā)明專(zhuān)利]用于主動(dòng)組件的電磁屏蔽和熱管理的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580070483.5
• 申請(qǐng)日: 2015-12-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107112311B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 向井賢一郎;金權(quán)一;L·加赫蒂;L·勃蘭特;T·馬格亞
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 德國(guó)艾托特克公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/552
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/552
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

本發(fā)明涉及一種形成用于主動(dòng)組件的電磁屏蔽與熱管理的金屬層的方法，所述方法優(yōu)選通過(guò)濕式化學(xué)金屬電鍍，在模制化合物的層上使用增粘層并且在所述增粘層上形成至少一個(gè)金屬層或通過(guò)濕式化學(xué)金屬電鍍工藝在所述增粘層上形成至少一個(gè)金屬層來(lái)實(shí)現(xiàn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用于主動(dòng)組件的電磁屏蔽與熱管理的方法。

背景技術(shù)

電子消費(fèi)裝置變得越來(lái)越強(qiáng)大，越來(lái)越小并且越來(lái)越快。這對(duì)于如智能手機(jī)的手持裝置尤其如此，歸功于其巨大功能性以及其相對(duì)較小的尺寸，所述手持裝置已變得極其流行。所述裝置的性能依賴(lài)于高時(shí)鐘速度和小集成電路模塊。

高時(shí)鐘速度的前提條件為在整個(gè)電磁波譜中產(chǎn)生電磁發(fā)射的高信號(hào)速度。確切地說(shuō)，當(dāng)電路(主動(dòng)組件)非常接近彼此安置時(shí)，需要對(duì)所述發(fā)射進(jìn)行屏蔽。

高信號(hào)強(qiáng)度和電磁發(fā)射可能引起對(duì)電子組件的運(yùn)作的干擾。這一現(xiàn)象有時(shí)被稱(chēng)為電磁干擾(EMI)或串?dāng)_。屏蔽廣泛用于避免此類(lèi)干擾。

電子裝置中的許多組件類(lèi)型需要此類(lèi)屏蔽。舉例來(lái)說(shuō)，構(gòu)成模塊的子模塊可能需要受到屏蔽而免遭EMI透射。

用于主動(dòng)組件的磁EMI或電EMI屏蔽的各種方法為已知的。當(dāng)前，這主要由金屬罐來(lái)完成。然而，這一技術(shù)增加空間需求，其對(duì)于小型化的趨勢(shì)有所不利。

美國(guó)專(zhuān)利8,062,930 B1解決降低用于屏蔽的罐的空間需求的需要。描述為一種具有電磁屏蔽的子模塊的制造過(guò)程。首先，形成具有針對(duì)兩個(gè)或更多個(gè)子模塊的電路的元模塊。將包覆模制主體置放于針對(duì)全部子模塊的電路的上方。進(jìn)一步分割元模塊的包覆模制主體以暴露子模塊中的每一個(gè)周?chē)慕饘賹訓(xùn)鸥瘛ｋS后，將電磁屏蔽材料涂覆到子模塊中的每一個(gè)的包覆模制主體的外表面并且與金屬層?xùn)鸥窠佑|。隨后將元模塊單一化以形成具有兩個(gè)或更多個(gè)子模塊的模塊。

那些金屬化封裝主動(dòng)組件的一個(gè)至關(guān)重要的要求為保護(hù)封裝的I/O(電輸入/輸出)側(cè)免遭其它金屬化，因?yàn)檫@將導(dǎo)致I/O短路。

相關(guān)應(yīng)用為使用保形單側(cè)金屬化層熱管理或耗散由主動(dòng)組件產(chǎn)生的熱量。與主動(dòng)組件的電功率消耗相關(guān)的未耗散的熱量可能會(huì)累積到高溫(超過(guò)150℃)，最終損壞或破壞主動(dòng)組件或芯片的功能性。EMI屏蔽應(yīng)用中有所相似，必須保護(hù)I/O側(cè)免遭其它金屬化以防止I/O短路。

因此，需要保形單側(cè)屏蔽工藝，其能夠有效地并且選擇性地屏蔽小型裝置并且其并未明顯增加電子組件的大小。

發(fā)明內(nèi)容

這一目標(biāo)通過(guò)一種形成用于主動(dòng)組件(襯底)的電磁屏蔽與熱管理的金屬層的方法得到解決，所述方法優(yōu)選通過(guò)濕式化學(xué)金屬電鍍實(shí)現(xiàn)，所述方法包含以下步驟：

(i)提供至少一個(gè)主動(dòng)組件10，所述主動(dòng)組件具有前側(cè)11、后側(cè)14和側(cè)壁20，所述前側(cè)11包含通過(guò)模制化合物的層13封入的至少一個(gè)芯片12；

(ii)在后側(cè)上形成保護(hù)層15；

(iii)在前側(cè)11上并且任選地在側(cè)壁20上形成位于模制化合物的層13上的增粘層16；

(iv)在增粘層上形成至少一個(gè)金屬層17

或

通過(guò)濕式化學(xué)金屬電鍍工藝在增粘層上形成至少一個(gè)金屬層17。

附圖說(shuō)明

圖1顯示一種形成用于根據(jù)本發(fā)明的電磁屏蔽與熱管理的金屬層的方法。

具體實(shí)施方式

根據(jù)本發(fā)明的方法基于化學(xué)增粘劑，其中通過(guò)模制化合物封入的組件直接涂布有金屬層或通過(guò)濕式化學(xué)電鍍法直接涂布有金屬層。用于提供無(wú)電式銅或銅合金層或鎳或鎳合金層的方法尤其合適。通過(guò)這一方法空間需求降到最低。另外，這一工藝適合于電子器件和印刷電路板(PCB)行業(yè)的現(xiàn)有基礎(chǔ)建設(shè)。