[發(fā)明專利]制造用于有機發(fā)光元件的光提取基底的方法、用于有機發(fā)光元件的光提取基底及包括其的有機發(fā)光元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580070258.1 | 申請日: | 2015-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN107112441B | 公開(公告)日: | 2019-10-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 崔殷豪;金序炫;李柱永 | 申請(專利權(quán))人: | 康寧精密素材株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;韓明花 |
| 地址: | 韓國忠清*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 用于 有機 發(fā)光 元件 提取 基底 方法 包括 | ||
本發(fā)明涉及一種制造用于有機發(fā)光元件的光提取基底的方法、一種用于有機發(fā)光元件的光提取基底以及一種包括該光提取基底有機發(fā)光元件,具體地,涉及一種制造用于有機發(fā)光元件的光提取基底的方法、一種用于有機發(fā)光元件的光提取基底以及一種包括該光提取基底有機發(fā)光元件,所述方法能夠改善有機發(fā)光元件的光提取效率,還能提高發(fā)光均勻性。為此,本發(fā)明提供一種制造用于有機發(fā)光元件的光提取基底的方法,所述方法包括:通過將大量的散射顆粒與無機粘合劑進行混合來制備混合物的混合物制備步驟;在基礎基底上涂覆混合物的混合物涂覆步驟;通過在涂覆的混合物上涂覆無機材料來形成緩沖層的緩沖層形成步驟;對混合物和緩沖層進行燒制的燒制步驟;在燒制步驟中形成在混合物和緩沖層中的裂紋中形成由金屬制成的第一電極的第一電極形成步驟;在第一電極上形成電連接到第一電極的第二電極的第二電極形成步驟。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及一種制造用于有機發(fā)光器件或有機發(fā)光二極管(OLED)器件的光提取基底的方法、一種用于OLED器件的光提取基底以及一種包括該光提取基底的OLED器件。更具體地,本公開涉及一種制造用于OLED器件的光提取基底的方法、一種用于OLED器件的光提取基底以及一種包括該光提取基底的OLED器件,其中,不但改善了OLED器件的光提取效率而且改善了OLED器件的發(fā)光均勻性。
背景技術(shù)
通常,發(fā)光器件可以劃分為具有由有機材料形成的發(fā)光層的有機發(fā)光二極管(OLED)器件和具有由無機材料形成的發(fā)光層的無機發(fā)光器件。在OLED器件中,OLED是基于經(jīng)電子注入電極(陰極)注入的電子和經(jīng)空穴注入電極(陽極)注入的空穴的復合在有機發(fā)光層中產(chǎn)生的激子的輻射衰減的自發(fā)光光源。OLED具有一系列的優(yōu)點,諸如低電壓驅(qū)動、自發(fā)射、寬視角、高分辨率、自然色彩再現(xiàn)性和快速響應時間。
近來,已經(jīng)對OLED應用于便攜式信息裝置、照相機、時鐘、手表、辦公設備、用于車輛等的信息顯示裝置、電視(TV)、顯示裝置和照明系統(tǒng)等積極地進行了研究。
為了改善這種上述OLED器件的發(fā)光效率,有必要改善形成發(fā)光層的材料的發(fā)光效率或者光提取效率(即,由發(fā)光層產(chǎn)生的光被提取的效率)。
OLED器件的光提取效率取決于OLED層的折射率。在典型的OLED器件中,當由發(fā)光層產(chǎn)生的光束以大于臨界角的角度出射時,該光束會在諸如用作陽極的透明電極層的較高折射率的層與諸如玻璃基底的較低折射率的層之間的界面處被全反射。這會因此降低光提取效率,從而降低了OLED器件的整體發(fā)光效率,這是有問題的。
更詳細地進行描述,由OLED產(chǎn)生的光中的僅約20%從OLED器件發(fā)射而產(chǎn)生的光中的約80%由于波導效應和內(nèi)部全反射而損失,波導效應源自于玻璃基底、陽極和有機發(fā)光層(由空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層組成)的折射率不同,內(nèi)部全反射源自于玻璃基底和環(huán)境大氣之間的折射率的差異。這里,內(nèi)部有機發(fā)光層的折射率在1.7到1.8的范圍,而通常用于陽極的氧化銦錫(ITO)的折射率為約1.9。由于這兩個層具有范圍為200nm到400nm的顯著低的厚度,并且用于玻璃基底的玻璃的折射率為約1.5,從而在OLED器件內(nèi)部形成平面波導。計算出由于上述原因在內(nèi)部波導模式中損失的光的比率為約45%。另外,由于玻璃基底的折射率為約1.5,環(huán)境大氣的折射率為1.0,所以當光從玻璃基底的內(nèi)部射出時,入射角大于臨界角的光束會被全反射并俘獲在玻璃基底內(nèi)部。被俘獲的光的比率為約35%。因此,僅可以從OLED器件射出所產(chǎn)生的光的約20%。
為了克服這樣的問題,已經(jīng)積極研究了光提取層,通過光提取層可以提取否則將在內(nèi)部波導模式中損失的光的80%。光提取層通常被分類為內(nèi)部光提取層和外部光提取層。在外部光提取層的情況下,能夠通過在基底的外表面上設置包括微透鏡的膜來改善光提取效率,從各種形狀中選擇微透鏡的形狀。光提取效率的改善不明顯依賴于微透鏡的形狀。另一方面,內(nèi)部光提取層直接提取否則將在光波導模式中損失的光。因此,內(nèi)部光提取層改善光提取效率的能力可以高于外部光提取層改善光提取效率的能力。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





