[發(fā)明專利]陶瓷基體及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580070143.2
• 申請日: 2015-12-15
• 公開（公告）號: CN107108371B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 河野浩;梅田勇治;伊藤陽彥
• 申請（專利權(quán)）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: C04B35/18
• 分類號: C04B35/18
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11432
• 代理人: 王軼;鄭雪娜

1.一種陶瓷基體，其特征在于，

所述陶瓷基體的結(jié)晶相以3Al₂O₃·2SiO₂為主結(jié)晶相，除此以外，包含Al₂O₃及ZrO₂，

所述陶瓷基體的彎曲強(qiáng)度為450MPa以上，楊氏模量為240GPa以下，

所述陶瓷基體包含：當(dāng)Al₂O₃、ZrO₂、SiO₂及MnO的合計為100質(zhì)量％時，按Al₂O₃換算計為40.0～70.0質(zhì)量％的Al、按ZrO₂換算計為5.0～40.0質(zhì)量％的Zr、按SiO₂換算計為10.0～30.0質(zhì)量％的Si、按MnO換算計為2.0～8.0質(zhì)量％的Mn，

當(dāng)包含92％以上的Al₂O₃的陶瓷基板的X射線衍射結(jié)果中的(113)晶面的峰強(qiáng)度為Pa，

該陶瓷基體的X射線衍射結(jié)果中的3Al₂O₃·2SiO₂的(240)晶面的峰強(qiáng)度為Pb，

該陶瓷基體的X射線衍射結(jié)果中的Al₂O₃的(113)晶面的峰強(qiáng)度為Pc，

該陶瓷基體的X射線衍射結(jié)果中的t－ZrO₂的(111)晶面的峰強(qiáng)度為Pt，m－ZrO₂的(/111)晶面的峰強(qiáng)度為Pm1，m－ZrO₂的(111)晶面的峰強(qiáng)度為Pm2時，

所述峰強(qiáng)度Pb相對于所述峰強(qiáng)度Pa的比值Pb/Pa為5～50％，

所述峰強(qiáng)度Pc相對于所述峰強(qiáng)度Pa的比值Pc/Pa為5～25％，

所述峰強(qiáng)度Pt、Pm1及Pm2的合計相對于所述峰強(qiáng)度Pa的比值(Pt+Pm1+Pm2)/Pa為15～200％，

應(yīng)予說明，(/111)晶面表示晶面，以下相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基體，其特征在于，

所述陶瓷基體包含Ba、Ti、Y、Ca及Mg中的至少1種元素，

當(dāng)Al₂O₃、ZrO₂、SiO₂及MnO的合計為100質(zhì)量％時，

包含Ba的情況下，按BaO換算計包含1.5質(zhì)量％以下，

包含Ti的情況下，按TiO₂換算計包含1.5質(zhì)量％以下，

包含Y的情況下，按Y₂O₃換算計包含1.5質(zhì)量％以下，

包含Ca的情況下，按CaO換算計包含1.5質(zhì)量％以下，

包含Mg的情況下，按MgO換算計包含1.5質(zhì)量％以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基體，其特征在于，

所述陶瓷基體于溫度1200～1400℃被燒結(jié)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基體，其特征在于，

所述陶瓷基體的彎曲強(qiáng)度為450MPa～900MPa，楊氏模量為170GPa～240GPa。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基體，其特征在于，

所述陶瓷基體的介電損耗角正切在1MHz時為50×10^－4以下，相對介電常數(shù)為7～13。