[發(fā)明專利]通過沉積調整來解決FCVD的線條彎曲

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580070028.5
• 申請日: 2015-12-01
• 公開（公告）號: CN107406983B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設計）人: 梁璟梅;K·V·塔達尼;J·S·卡契安;N·拉賈戈帕蘭
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/505
• 分類號: C23C16/505;C23C16/455;C23C16/452;C23C16/40;B81B3/00;H01L21/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種減少具支柱的基板的線條彎曲與表面粗糙度的方法，包含：

在遠程等離子體系統(tǒng)中形成第一自由基與離子，所述遠程等離子體系統(tǒng)是自由基源；

在雙通道噴淋頭中形成第二自由基；

通過在50℃與800℃之間的溫度、10毫托與20托之間的壓力下用所述第一自由基和所述第二自由基處理含支柱的基板來形成處理表面，其中所述第一自由基和所述第二自由基是硅基的、氮基的或氧基的，且所述第一自由基和所述第二自由基按0.1sccm與10000sccm之間的流率引入處理區(qū)；

通過在100℃或以下的溫度、0.5托與10托之間的壓力下使所述第一與第二自由基中的至少一者、有機硅前體和氧前體反應來在所述處理表面上面形成介電膜，其中所述有機硅前體按10sccm與1800sccm之間的流率引入處理區(qū)，且所述氧前體按10毫克每分鐘與1500毫克每分鐘之間的流率引入所述處理區(qū)；及

在150℃或以下的溫度下，固化所述介電膜。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述在所述處理表面上面形成介電膜進一步包含按600sccm與1250sccm之間的流率將自由基前體提供至所述自由基源。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述第一與第二自由基中的至少一者是氧基的，且衍生自選自由氧、H₂O和過氧化氫所組成的群組的一種或多種化合物。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述第一與第二自由基中的至少一者是氮基的，且衍生自氨。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述第一與第二自由基中的至少一者是硅基的，且衍生自選自由(二甲基硅基)(三甲基硅基)甲烷((Me)₃SiCH₂SiH(Me)₂)、六甲基二硅烷((Me)₃SiSi(Me)₃)、三甲基硅烷((Me)₃SiH)、三甲基氯硅烷((Me)₃SiCl)、四甲基硅烷((Me)₄Si)、四乙氧基硅烷((EtO)₄Si)、四甲氧基硅烷((MeO)₄Si)、四(三甲基硅基)硅烷((Me₃Si)₄Si)、(二甲基氨基)二甲基硅烷((Me₂N)SiHMe₂)、二甲基二乙氧基硅烷((EtO)₂Si(Me)₂)、二甲基二甲氧基硅烷((MeO)₂Si(Me)₂)、甲基三甲氧基硅烷((MeO)₃Si(Me))、二甲氧基四甲基二硅氧烷(((Me)₂Si(OMe))₂O)、三(二甲基氨基)硅烷((Me₂N)₃SiH)、雙(二甲基氨基)甲基硅烷((Me₂N)₂CH₃SiH)和二硅氧烷((SiH₃)₂O)所組成的群組的一種或多種化合物。

6.如權利要求1所述的方法，其中形成處理表面進一步包含經由自由基分配板控制朝所述含支柱的基板的離子流。